晶圆切割工具及使用该工具切割晶圆的方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆切割工具，包括：外围支架和晶圆承载台，两者中至少一个四周带有刻度，所述外围支架环绕在所述晶圆承载台的外侧，并和晶圆承载台之间留有空隙，作为滑块轨道；滑块，可沿着所述滑块轨道滑动；滑杆，具有内槽，所述内槽套在滑块上，使所述滑杆能在两个滑块的连线方向上滑动，所述滑杆的长度使晶圆上的每一处都能被切割到；切割器，位于所述滑杆上两个滑块的位置之间，可沿着所述滑杆的内槽滑动，以切割晶圆，所述滑杆和切割器中至少一个在高度方向上可调。相应地，本发明专利技术还提供一种切割晶圆的方法。采用本发明专利技术的晶圆切割工具可以快速和精确地确定晶圆上所感兴趣的区域的切割线位置并切割。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别地，涉及一种晶圆切割工具及使用该工具 切割晶圆的方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，为了准确地定位晶圆的旋转方向，通常在晶圆外边缘<110> 方向上定义一个晶圆的定位槽口(notch)，所述定位槽口与晶圆中各芯片(die)的朝向相 对应。然而，随着应用于硅90nm以下特征尺寸的制造工艺的发展，更多新的工艺技术被 引入CMOS工艺中来增加半导体器件的性能。其中，芯片的朝向从原来的<110>方向改为采 用<100>方向，与之相应的晶圆的定位槽口的方向也从原来的<110>方向改为<100>方向。 上述方向的改变是因为半导体器件沿着<100>方向上的载流子(包括电子和空穴)的迁移 率要大于沿着<110>方向上的迁移率，而载流子迁移率的提高，可以提高半导体器件的响 应速度，进而提高电子产品的性能。通常地，在对芯片进行失效分析(Failure Analysis,FA)的过程中，需要从晶圆上 取下一块特定区域的硅片作为样品，例如晶圆接受度测试(Wafer Accept Te本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆切割工具，其特征在于，包括：外围支架和晶圆承载台，两者中至少一个四周带有刻度，所述外围支架环绕在所述晶圆承载台的外侧，并和晶圆承载台之间留有空隙，作为滑块轨道；滑块，可沿着所述滑块轨道滑动；滑杆，具有内槽，所述内槽套在滑块上，使所述滑杆能在两个滑块的连线方向上滑动，所述滑杆的长度使晶圆上的每一处都能被切割到；切割器，位于所述滑杆上两个滑块的位置之间，可沿着所述滑杆的内槽滑动，以切割晶圆，所述滑杆和切割器中至少一个在高度方向上可调。

【技术特征摘要】
一种晶圆切割工具，其特征在于，包括外围支架和晶圆承载台，两者中至少一个四周带有刻度，所述外围支架环绕在所述晶圆承载台的外侧，并和晶圆承载台之间留有空隙，作为滑块轨道；滑块，可沿着所述滑块轨道滑动；滑杆，具有内槽，所述内槽套在滑块上，使所述滑杆能在两个滑块的连线方向上滑动，所述滑杆的长度使晶圆上的每一处都能被切割到；切割器，位于所述滑杆上两个滑块的位置之间，可沿着所述滑杆的内槽滑动，以切割晶圆，所述滑杆和切割器中至少一个在高度方向上可调。2.根据权利要求1所述的晶圆切割工具，其特征在于，所述晶圆切割工具还包括工具 底座，其与外围支架和晶圆承载台分别相连接。3.根据权利要求1所述的晶圆切割工具，其特征在于，所述外围支架的形状为正四边 形、正八边形、圆形或者其他规则的多边形。4.根据权利要求3所述的晶圆切割工具，其特征在于，所述晶圆承载台的形状与外围 支架的形状相对应，使所述滑块轨道的宽度在整个滑动平面内保持一致。5.根据权利要求1所述的晶圆切割工具，其特征在于，所述晶圆承载台上具有真空吸 孔，用于固定放置于晶圆承载台上的晶圆。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈险峰，葛挺锋，娄晓祺，邹丽君，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31