制造具有嵌入金属化的多层衬底的方法技术

技术编号:5018839 阅读:173 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种制造衬底的方法,包括:设置上绝缘层和下绝缘层,其中所述上绝缘层包括入口,所述下绝缘层包括通道,而且所述入口与所述通道流体相通,使非固化材料流经所述入口进入所述通道,以及然后通过对所述非固化材料施加能量固化所述非固化材料,从而在所述通道中形成嵌入金属化。所述衬底可以是微流体通道、电互连或者其他电子设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及衬底制造,而且更具体地,涉及一种制造具有嵌入金属化的多层 衬底的方法。
技术介绍
具有嵌入金属化的多层衬底应用于例如微流体设备(microfluidic device)和电 互连(electrical interconnects)的广泛的应用场合。微流体设备是进行例如毛细管电泳的化学和物理操作的小型紧凑设备,具有微尺 度试样体积、反应迅速、检测快、易于自动化、并且反应容器间转换简便。微流体设备也称作 “片上实验室”。生物分子的电泳分离在现代生物学和例如DNA测序、蛋白分子量确定、遗传图谱 等的生物工程技术中是极其重要的。电泳通过施加电场将溶液中的分子组份分离。带电分 子迁移通过电场中的溶液并由于其通过溶液的不同移动速率分割为不同的条带。速率受到 溶液的PH值、分子的质量和电荷、以及电场的强度和持续时间的影响。电互连在彼此必须经济可靠连接的半导体芯片之间提供了高密度的电气连接。例 如,铜/聚酰亚胺衬底包含暗线模式以在芯片间传导电信号。这种互连通常包含多层由交 替的绝缘介电层隔开的互连金属化以提供金属化之间的电绝缘。电互连也称作互连衬底, 印刷电路板和多芯片组件。半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造衬底的方法,包括:  设置上绝缘层和下绝缘层,其中所述上绝缘层包括入口,所述下绝缘层包括通道,而且所述入口与所述通道流体相通;  使非固化材料流经所述入口进入所述通道;以及然后  通过对所述非固化材料施加能量固化所述非固化材料,从而在所述通道中形成嵌入金属化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴森焕王振峰
申请(专利权)人:新加坡科技研究局
类型:发明
国别省市:SG[新加坡]

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