【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路设计，特别涉及电阻结构。技术背景常规的电阻结构为两端结构，当其上有电流经过时，由于电流经过的有效方块 数等于该电阻两端间的方块数，因此模拟该类型电阻结构的阻值只需通过简单计算电阻 两端间的方块数即可。但该方法对于多端结构的电阻就不太适合。图1为一种多端结构的电阻示意图。参照图1所示，电阻10包括线型的电 阻本体、电阻10的两个终端11、12、终端11、12之间的两个引出端13、14。所述终端 11、12以及引出端13、14通过在电阻本体的相应延伸部分形成接触孔来实现。当在终端 11及引出端13间有电流通过时，所述电阻10中电流经过的有效方块数并非是终端11及 引出端13之间的方块数。图2为图1所示电阻在终端11及引出端13间有电流通过时的一种近似示意图。 参照图2所示，此时，电流经由终端11处的接触孔向引出端13传输的路径呈现出向引出 端13处的接触孔或接触孔间集中的趋势。因此，此时电阻10中电流经过的有效方块数 就不是终端11及引出端13之间的全部方块数。并且，要准确计算该电流经过的有效方 块数是相当困难的。因而，目前的电阻结构...
【技术保护点】
一种电阻结构，包括线型的电阻本体、电阻本体两端具有接触孔的终端以及两个终端间的多个引出端，其特征在于，所述引出端包括与所述电阻本体交叉电气连接的导电介质，所述引出端至少在电阻本体的一侧具有与所述导电介质电气连接的接触孔，所述导电介质的电阻率匹配于所述接触孔的电阻率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张昊，许丹，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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