电阻结构及其工艺制造技术

本发明专利技术的电阻具有一基底、一具有预定导电型式的掺杂井位于在基底中、一栅极结构，设于基底上、一具有预定导电型式的一第一掺杂区、一第二掺杂区分别位于栅极导体两侧的基底中、一上盖层，覆盖于栅极导体之上以及一间隙壁，设于栅极导体的侧壁周围，其中上述的预定导电型式可以是Ｐ型或Ｎ型。本发明专利技术的电阻的工艺与ＭＯＳ工艺相容而且具有优选的散热能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电阻结构以及其制作方法。
技术介绍
电阻可用来调整电流流进电路的大小，在相同电压下，电阻越大的电 路其流进的电流越小。例如多晶硅电阻、金属薄膜电阻以及扩散电阻等电 阻元件，便常应用在各式半导体产品中。一般而言，多晶硅电阻包括有一掺杂多晶硅层，且其阻值可以利用多 晶硅层内的掺杂剂浓度予以调整控制，至于扩散电阻则是先利用离子注入 在一半导体基底内形成一掺杂层，然后再利用热扩散的方式来活化掺杂层内的离子，以调整其阻值。而无论是多晶硅电阻或扩散电阻，大多具有一 类似三明治结构，其两侧结构定义为一低阻值区域，用来制作内连线的接 触插塞，以使电阻与其他导线产生电连接，至于被夹于两侧低阻值区域间 的高阻值区域则为电阻的主要结构，用来提供电子元件或电路设计中需求的高阻值。而金属薄膜电阻可以蒸镀(evaporation)或溅镀(sputtering)的方式 沉积一层金属(如镍铬合金等)于基板上，再利用蚀刻的方式去除不需要的金 属层，剩下的部分即形成金属薄膜电阻。以上所述的多晶硅电阻、金属薄膜电阻以及扩散电阻都不具有开关功 能，无法以外加的电子信号直接对其进行电阻开关控制。此外，要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电阻结构，包括有：基底，且该基底中具有预定导电型式的掺杂井；导电体，覆盖于该掺杂井上，并将该掺杂井分成相对的两侧；以及绝缘层，介于该导电体与该基底之间。

【技术特征摘要】
1.一种电阻结构，包括有基底，且该基底中具有预定导电型式的掺杂井；导电体，覆盖于该掺杂井上，并将该掺杂井分成相对的两侧；以及绝缘层，介于该导电体与该基底之间。2. 如权利要求1所述的电阻结构，其中该预定导电型式包括有P型。3. 如权利要求1所述的电阻结构，还包括有具有该预定导电型式的第 一掺杂区，设于该导电体一侧的该掺杂井内。4. 如权利要求3所述的电阻结构，其中该掺杂井以及该第一掺杂区包 括有P型掺杂剂。5. 如权利要求4所述的电阻结构，其中该掺杂井以及该第一掺杂区还 包括有N型掺杂剂，且该掺杂井以及该第 一掺杂区中的该N型掺杂剂的浓 度小于P型掺杂剂的浓度。6. 如权利要求3所述的电阻结构，还包括有具有该预定导电型式的第 二掺杂区，设于该导电体另一侧的该掺杂井内。7. 如权利要求6所述的电阻结构，其中该掺杂井、该第一掺杂区或该 第二掺杂区包括有P型掺杂剂。8. 如权利要求7所述的电阻结构，其中该掺杂井、该第一掺杂区或该 第二掺杂区还包括有N型掺杂剂，且该掺杂井、该第一掺杂区或该第二掺 杂区中的该N型掺杂剂的浓度小于P型掺杂剂的浓度。9. 如权利要求1所述的电阻结构，其中该预定导电型式包括有N型。10. 如权利要求9所述的电阻结构，还包括有具有该预定导电型式的第 一掺杂区，设于该导电体一侧的该掺杂井内。11. 如权利要求10所述的电阻结构，其中该掺杂井以及该第一掺杂区 包括有N型掺杂剂。12. 如权利要求11所述的电阻结构，其中该掺杂井以及该第一掺杂区 还包括有P型掺杂剂，且该掺杂井以及该第一掺杂区中的该P型掺杂剂的 浓度小于N型掺杂剂的浓度。13. 如权利要求10所述的电阻结构，还包括有具有该预定导电型式的 第二掺杂区，设于该导电体另一侧的该掺杂井内。14. 如权利要求13所述的电阻结构，其中该掺杂井、该第一掺杂区或 该第二掺杂区包括有N型掺杂剂。15. 如权利要求14所述的电阻结构，其中该掺杂井、该第一掺杂区或 该第二掺杂区还包括有P型掺杂剂，且该掺杂井、该第一掺杂区或该第二 掺杂区中的该P型掺杂剂的浓度小于N型掺杂剂的浓度。16. 如权利要求3所述的电阻结构，还包括有具有该预定导电型式的第 一延伸掺杂区，设于该掺杂井中并且邻接该第 一掺杂区与该导电体。17. 如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：林鸿松，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]