采用一控片测试光刻薄膜不同烘焙条件的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种采用一控片测试光刻薄膜不同烘焙条件的装置及方法，其中，加热板包括：加热板以及在加热板的边缘区域具有至少一个可升降的突起物，控片放置在该突起物和加热板的表面构成的平面上。因此，本发明专利技术提供的装置及方法可以采用一个控片进行多个不同烘焙条件的烘焙过程，完成不同烘焙条件下的光刻过程测试，得到最优化的光刻过程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及采用一控片测试光刻薄膜不同烘焙条件 的装置及方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，半导体器件的特征尺寸(CD)变得越来越小，光刻薄膜 在光刻过程中所采用的烘焙条件对半导体器件制程的影响也越来越大。在这里，光刻薄 膜可以包括底部抗反射层(BARC)和光阻胶层(PR)，有时还包括位于BARC下层的底层 或/和顶部抗反射层(TARC)，它们在光刻过程都起着不同的作用。如图1所示，在半 导体器件的衬底上，依次涂敷底层、BARC、PR及TARC。其中，底层用于在光刻过程 中使得半导体器件衬底平整，可以采用诸如氮化硅等物质；BARC用于在曝光过程中防 止半导体器件衬底的光反射以及在后续刻蚀过程中作为硬掩膜(在BARC含有硅离子的情 况下)；PR用于在光刻过程形成后续刻蚀或离子注入的光刻图形；TARC用于在曝光过 程中防止光反射。在具体制程过程中，TARC也可以替换为顶层(TOP coating)，该顶层 不溶于浸没液，在浸没式光刻工艺中保证下层的PR不会溶于浸没液污染可接触的曝光镜 头。光刻薄膜中的各层材料都是由不同的厂商提供，为了光刻过程最优化，在涂覆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用一控片测试光刻薄膜不同烘焙条件的加热板，包括：加热板以及在加热板的边缘区域具有至少一个可升降的突起物，控片放置在该突起物和加热板的表面构成的平面上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：安辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]