【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氮化镓系发光二极管，特别是一种具有低温中间层的氮化镓系发光二极管。
技术介绍
发光二极管以其高效环保性而具有取代白炽灯、日光灯成为下一代照明产品的潜 力。宽带隙的GaN系发光二极管(简称为“LED”)是目前业界研究的重点之一。在现有的氮化镓系LED中，通常采用蓝宝石作为衬底。然而，由于蓝宝石与III族 氮化物之间的晶格失配以及III族氮化物的极化特性，使得在活性层及整个LED结构中存 在很强的极化场，从而减弱了对载流子的限制作用，降低了器件的发光效率。虽然目前通常 采用P型铝镓氮电子阻挡层(EBL，Electr0n blockinglayer)来加强对载流子的限制，但效 果并不理想。此外，现有的氮化镓系LED通常采用高温生长的ρ型GaN层作为接触层，而ρ型接 触层通常位于活性层(发光层)上方。人们在实际的制造工艺中发现，当在高温下生长P 型GaN接触层时，活性层中的铟镓氮会发生分解和扩散，并且P型GaN接触层中的ρ型掺杂 剂(比如镁)在高温下向活性层的扩散增加地很快。因此，在P型GaN接触层高温生长的 过程中，活性层的特性不能维持，于是活性层的...
【技术保护点】
一种氮化镓系发光二极管，其包括：基板；缓冲层，其位于所述基板上；ｎ型接触层，其位于所述缓冲层上，由ｎ型ＧａＮ构成；活性层，其位于所述ｎ型接触层上并覆盖所述ｎ型接触层的部分表面，由Ｉｎ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ阱层和Ｉｎ↓［ｙ］Ａｌ↓［ｚ］Ｇａ↓［１－ｙ－ｚ］Ｎ垒层交互层叠形成的多量子阱所构成，其中０＜ｘ＜１，０≤ｙ＜１，０≤ｚ＜１，０≤ｙ＋ｚ＜１；负电极，其位于所述ｎ型接触层未被所述活性层覆盖的上表面上；低温中间层，其位于所述活性层上，由低温ｐ型ＧａＮ层和低温ｐ型铟镓氮／铟铝镓氮超晶格组成；ｐ型接触层，其位于所述低温中间层上，由ｐ型Ⅲ族氮化物半导体构成；正电极，其位于所述ｐ型接触层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，胡建正，祝光辉，
申请(专利权)人：上海蓝宝光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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