高发光率的覆晶式发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高发光率的覆晶式发光二极管，在Ｐ型半导体层上方设置一个透明导电层、一个氧化层、一个金属反射层、一个导电层以及一个扩散保护层，反射一个发光层向Ｐ型半导体层发出的光射，使反射的光线可穿透透明基板而向外发出，以解决覆晶式发光二极管光线被遮蔽的问题，并可有效提升其发光效率，此外，本实用新型专利技术利用覆晶技术将发光二极管晶片反转设置于一个导热基板上。本实用新型专利技术高发光率的覆晶式发光二极管能提升发光二极管的散热率。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管，特别是涉及一种高发光率的覆晶式发光二极管。
技术介绍
照明设备发展以来，由于传统照明设备功率较高的因素，致使其产生电力消耗较多的缺点，为此，各国产、学、研界专家学者纷纷投入照明设备的发光元件的研究，发光二极管(Light Emitting Diode ;LED)即在此需求下因应而生。 如附图说明图1所示，常见的使用蓝宝石基板成长氮化镓系列的发光二极管，是依序将氮化镓缓冲层2' ， N型氮化镓欧姆接触层3'，氮化铟镓的发光层4' ， P型氮化铝镓披覆层5'、P型氮化镓欧姆接触层6'及P型透光金属导电层7'外延层成长于蓝宝石基板1'上，最后，设置阳极电极8'于P型透光金属导电层7'上方以及设置阴极电极9'于N型氮化镓欧姆接触层3'之上，并分别于阳极电极8'与该阴极电极9'接设导线10'，11'以导通导电支架12'的两个电极。 上述发光二极管结构中，当氮化铟镓的发光层4'发出光线时，该阳极电极8'是会遮蔽该发光层4射出的光线，而使发光二极管产生发光面积縮小与明暗不均等问题，为解决前述问题，一种覆晶式发光二极管是被提出，如图2所示，此结构是将发光二极管晶片反转接合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高发光率的覆晶式发光二极管，包含：　　一个透明基板；　　一个半导体层，设于透明基板上方，且包含一个Ｎ型半导体层、一个发光层及一个Ｐ型半导体层，其中，发光层介于Ｎ型半导体层与Ｐ型半导体层之间；　　一个透明导电层，设于Ｐ型半导体层上方且电性连接至Ｐ型半导体层；　　一个氧化层，设于透明导电层上方；　　一个金属反射层，设于氧化层上方；　　一个导电层，设于氧化层上，以电性连接透明导电层与金属反射层；　　一个扩散保护层，设于金属反射层上方且电性连接该金属反射层；　　一个第一电极，设于半导体层的Ｎ型半导体层上方且电性连接Ｎ型半导体层；　　一个导热基板，导热基板的表面具有第一及第二金属接合层；　　其特征是...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：温伟值，林艺峰，潘锡明，简奉任，
申请(专利权)人：山东璨圆光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]