具有低温ｐ型ＧａＮ层的氮化镓系发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种具有低温ｐ型氮化镓层的氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异是，在ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱活性发光层与ｐ型ＡｌＧａＮ电子阻挡层之间生长一层低温ｐ型氮化镓层，从而从界面上将ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱活性发光层与ｐ型ＡｌＧａＮ电子阻挡层以物理方式分隔开。结果表明，通过设置该低温ｐ型氮化镓层，氮化镓系发光二极管的发光强度和反向击穿电压得到较大的提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化镓(GaN)系发光二极管，特别是涉及一种具有低温ρ型GaN 层的氮化镓系发光二极管。
技术介绍
目前III-V族半导体光电材料被誉为第三代半导体材料。而GaN系发光二极管， 由于可以通过控制材料的组成来制作出各种色光(尤其是需要高能隙的蓝光或紫光)的发 光二极管(简称为“LED” )，而成为业界研究的重点。以GaN为基础的半导体材料或器件的外延生长目前主要采用MOCVD技术。在利用 MOCVD技术生长氮化物半导体(GaN、AlN、InN及它们的合金氮化物)的工艺中，由于没有与 GaN晶格匹配的衬底材料，故通常采用蓝宝石作为衬底进行异质外延。然而，在蓝宝石与氮 化物半导体之间存在较大的晶格失配( 13. 8% )和热膨胀系数的差异，于是生长没有龟 裂、表面平整的高质量氮化物半导体非常困难。目前最有效的外延生长方法通常采用两步 外延生长法(参见H. Amano, N. Sawaki和Y. Toyoda等，“使用AlN缓冲层的高质量GaN薄膜 的金属有机气相外延生长”，Appl. Phys. Lett. 48 (5)，353 (1986) ；S. Nakanura 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓系发光二极管，其包括：衬底；缓冲层，其位于所述衬底上；ｎ型接触层，其位于所述缓冲层上，由ｎ型氮化镓构成；活性发光层，其位于所述ｎ型接触层上并覆盖所述ｎ型接触层的部分表面，所述活性发光层是由氮化铟镓薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多量子阱结构所构成；负电极，其位于所述ｎ型接触层未被所述活性发光层覆盖的上表面上；ｐ型电子阻挡层，其位于所述活性发光层上，由氮化铝镓构成；ｐ型接触层，其位于所述ｐ型电子阻挡层上，由ｐ型氮化镓构成；以及正电极，其位于所述ｐ型接触层上并覆盖所述ｐ型接触层的部分表面；其特征在于，所述氮化镓系发光二极管还包括厚度为２０ｎｍ～１００ｎｍ的低温ｐ型氮化镓层，所述低温ｐ型氮化...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马平，丁成，刘慰华，李刚，
申请(专利权)人：上海蓝宝光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]