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本发明涉及一种具有低温ｐ型氮化镓层的氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异是，在ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱活性发光层与ｐ型ＡｌＧａＮ电子阻挡层之间生长一层低温ｐ型氮化镓层，从而从界面上将ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱活...
该专利属于上海蓝宝光电材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝宝光电材料有限公司授权不得商用。

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