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本发明涉及一种具有低温中间层的氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异是，在ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱活性层与ｐ型ＧａＮ接触层之间生长低温中间层，该低温中间层由低温ｐ型氮化镓层和低温ｐ型铟镓氮／铟铝镓氮超晶格组成。结...
该专利属于上海蓝宝光电材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝宝光电材料有限公司授权不得商用。

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