【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路结构及其制造方法，具体涉及一种功率MOS晶体 管器件的结构及其制作方法。
技术介绍
在半导体集成电路中，典型的沟道型功率MOS晶体管的结构如图1所示。MOS管栅 氧电容的充放电时间是影响器件工作频率的关键因素。电容越小，器件的充放电延迟时间 越短，器件的工作频率也就越高。为减小器件的栅氧电容，传统的方法有以下几种1、增加栅氧的厚度。原有的栅氧工艺是在高温条件下使氧气与基体材料中的硅反 应，在沟道中一次形成一层膜厚均勻的二氧化硅，由于要生长更厚的栅极氧化层，使得器件 的阈值电压大幅增加，无法满足电路要求。2、减小栅氧的面积。原有工艺会使得沟道深度变浅以达到此目的，但这样会使器 件崩溃电压降低同时导通电阻Rdson变大。可见传统工艺在改善器件工作频率的同时，都是以牺牲其他电学性能为代价的。 如何能在不改变器件其他电学性能的前提下提高其工作频率，便是本专利技术所要达到的目 的。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种提高功率MOS晶体管工作频率的结构，其 可以在基本不改变器件工作电压以及导通电阻等电学性能的前提下提高功率MOS...
【技术保护点】
一种提高功率ＭＯＳ晶体管工作频率的结构；包括自上而下布置的源极、衬底和漏极，源极和漏极之间有作为栅极的沟道，其特征在于，作为栅极的沟道的底部有一层氧化物，所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三倍以上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张洪强，魏炜，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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