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本发明公开了一种提高功率ＭＯＳ晶体管工作频率的结构及方法；包括自上而下布置的源极、衬底和漏极，源极和漏极之间有作为栅极的沟道，其特征在于，作为栅极的沟道的底部有一层氧化物，所述氧化物的厚度比沟道侧壁栅氧的厚度厚三倍以上。本发明结构简单，对产...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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