一种多芯片集成封装的ＬＥＤ制造技术

一种多芯片集成封装的ＬＥＤ，涉及一种ＬＥＤ，在采用焊接进行固晶时，芯片因焊料融化时的张力而移位，减小接触面而影响热传递，使芯片产生过热点，限制ＬＥＤ性能的提升。本实用新型专利技术包括一ＬＥＤ基座、设于基座上的复数个ＬＥＤ芯片及连接芯片的导电件，其特征在于：所述的基座上方覆有银反射层，所述银反射层的上表面为芯片承载面，所述的芯片承载面上设有复数个向上开口用以插接芯片的容置腔；所述容置腔的侧壁为限制芯片移动的限位面，其底面为芯片承载面，所述容置腔的底部纳有将芯片固接于芯片承载面的焊锡层。设插接芯片的容置腔使芯片精确定位，焊接后的芯片整个底部与锡焊层充分接触，防止产生过热点，延长光源的使用寿命。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种多芯片集成封装的LED
本技术涉及一种LED，尤指一种多芯片集成封装的LED。
技术介绍
目前在半导体照明产业中，制作大功率半导体光源历来有两种方法。第一种方法 是把功率相对较小的多个发光二极管(以下简称LED)例如功率为1W的LED安放在一个灯 具内，成为一个功率较大的半导体照明灯具，第二种方法是把多个LED芯片安装在同一个 芯片承载面上，进行适当的电组合后，一起封装成一个功率较大的LED。随着导热、散热技术 的进步，采用第二种方法制作大功率LED光源越来越多。 当今集成封装的LED，其芯片常采用银浆层粘结，但银浆层导热率不高，目前世界 上最好的银胶它的导热率也只有2. 0w/mk，封装成LED热阻在8_10°C /V左右，再要降低难 度很大。而金属焊接可克服导热率低的问题，但随之带来其它方面的缺陷焊接时无法精确 固定芯片位置，因为焊料在熔化时由于自身的表面张力，会形成一个球形，使放在焊料上的 芯片受到拱力而产生移动，且这种移动是随机的，这就会造成焊接的缺陷，如图1所示，芯 片3与焊料2的接触面减小而影响热传递，芯片3易产生过热点，使其无法发挥正常功效， 上述缺陷限制了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多芯片集成封装的ＬＥＤ，包括一ＬＥＤ基座（１）、设于基座（１）上的复数个ＬＥＤ芯片（３）及连接芯片（３）的导电件，其特征在于：所述的基座（１）上方覆有银反射层（７），所述银反射层（７）的上表面为芯片承载面，所述的芯片承载面上设有复数个向上开口用以插接芯片（３）的容置腔（４）；所述容置腔（４）的侧壁为限制芯片（３）移动的限位面，其底面为芯片承载面，所述容置腔（４）的底部纳有将芯片（３）固接于芯片承载面的焊锡层（２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：楼满娥，郭邦俊，
申请(专利权)人：浙江迈勒斯照明有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]