电注入调控三基色单芯片白光发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种电注入调控三基色的白光发光二极管（ＬＥＤ），在衬底的一侧依次叠加第一ｎ型欧姆接触层、绿光有源层、ｐ型欧姆接触层、蓝光有源层和第二ｎ型欧姆接触层，或者依次叠加第一ｐ型欧姆接触层、绿光有源层、ｎ型欧姆接触层、蓝光有源层和第二ｐ型欧姆接触层，在衬底的另一侧键合红光ＬＥＤ。该白光ＬＥＤ通过控制各对电极之间的电流、电压的大小来调节蓝光、绿光和红光有源层的发光强度，从而得到各种色度的白光。这相当于在单一芯片有三个各自独立的光源，以电注入调控三基色发出白色光。该器件的电路简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的光电转化效率，将在白光照明、全色显示和光调控领域中发挥重要的作用。

Three primary color single chip white light emitting diode controlled by electric injection

The invention discloses an electric control injection of three primary colors of white light emitting diode (LED), are superimposed on one side of the substrate first n type ohmic contact layer, green active layer, P type ohmic contact layer, an active layer and a blue second n type ohmic contact layer, or overlapping the first p type ohmic contact layer, green the active layer, N type ohmic contact layer, an active layer and a blue second P type ohmic contact layer, on the other side of the red button substrate LED. The white light LED controls the luminous intensity of blue light, green light and red light active layer by controlling the current and voltage between each pair of electrodes so as to obtain white light of various chromaticity. This is equivalent to a single chip has three separate light source, injected into electricity control, three primary colors emit white light. The device has the advantages of simple circuit, no fluorescent powder, long service life and high photoelectric conversion efficiency. It will play an important role in white light illumination, full-color display and optical control.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)
，尤其涉 及一种单芯片白光发光二极管(LED)器件。
技术介绍
目前，国内乃至国际上实现白光LED的主流方法仍然是以下三种。其中之一是采用 GaN基蓝光、绿光和GaAs基红光LED构成三基色完备发光体系。把这三种颜色的LED 按一定的比例封装在一起就可以得到用于照明用途的白光。这种方法封装的每一个芯片都 需要独立的驱动电路，因此控制电路相对复杂，成本高。另外一种，也是最为常见的是GaN 基蓝光LED利用荧光粉转换方法。这种方法是在高亮度GaN基蓝光LED的表面均匀涂抹 荧光粉和透明树脂，LED辐射出峰值为470nm左右的蓝光，而部分蓝光激发荧光粉发出峰 值为570nm左右的黄绿光，与另一部分透射出来的蓝光通过微透镜聚焦组成白光。这种方 法由于荧光粉长时间处于LED光直射的高温状态引起性能退化，使白光LED的效率下降 和光谱改变。类似于蓝光激发荧光粉的方法，有人提出了用GaN基紫外光LED辐射的紫 外光去激发荧光粉得到白光的方法。这种方法存在的主要问题是由于低掺杂效率和低量子 效率，高性能的紫外光LED是很难得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电注入调控三基色的白光发光二极管，在衬底的一侧依次叠加第一ｎ型欧姆接触层、绿光有源层、ｐ型欧姆接触层、蓝光有源层和第二ｎ型欧姆接触层，或者依次叠加第一ｐ型欧姆接触层、绿光有源层、ｎ型欧姆接触层、蓝光有源层和第二ｐ型欧姆接触层，在衬底的另一侧键合红光发光二极管。

【技术特征摘要】
1.一种电注入调控三基色的白光发光二极管，在衬底的一侧依次叠加第一n型欧姆接触层、绿光有源层、p型欧姆接触层、蓝光有源层和第二n型欧姆接触层，或者依次叠加第一p型欧姆接触层、绿光有源层、n型欧姆接触层、蓝光有源层和第二p型欧姆接触层，在衬底的另一侧键合红光发光二极管。2. 如权利要求1所述的白光发光二极管，其特征在于所述绿光有源层为发射波长在绿 光波段的量子阱。3. 如权利要求2所述的白光发光二极管，其特征在于所述量子阱为InGaN或AlInGaN量子阱。4. 如权利要求2所述的白光发光二极管，其特征在于所述量子阱的周期数为1 20，每 个周期中，阱的厚度为lnm 5nm，垒的厚度为6nm 20nm。5. 如权利要求1所述的白光发光二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国义，杨志坚，方浩，陶岳彬，桑立雯，李丁，童玉珍，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]