【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种交流发光二极管组合结构，包含第一交流发光二极管，包含第一 n型半导体层、第一发光层、第一 p型半导体层、第一 p型电极及第一 n型电极；第二交流电 发光二极管，包含第二 n型半导体层、第二发光层及第二 p型半导体层、第二 p型电极及第 二 n型电极；上述的第一交流发光二极管与第二交流发光二极管形成反向并联的垂直堆叠 结构。附图说明 根据以上所述的优选实施例，并配合所附图说明，本领域技术人员当能对本专利技术 的目的、特征和优点有更深入的理解。但值得注意的是，为了清楚描述起见，本说明书所附 的附图并未按照比例尺加以绘示。 图式简单说明如下 图1为显示依照本专利技术实施例的垂直堆 图； 图2为显示依照本专利技术实施例的垂直堆 图； 图3为显示依照本专利技术实施例的垂直堆叠型交流电发光二极管组合结构的剖面 叠型交流电发光二极管组合结构的剖面 叠型交流电发光二极管组合结构的剖面图； 图4为显示依照本专利技术实施例的垂直堆叠型交流电发光二极管组合结构的剖面 图。附图标记说明101、201、301 承载板112、211、311 ' 键合层119、1...
【技术保护点】
一种交流发光二极管组合结构，包含：第一交流发光二极管，包含第一ｎ型半导体层、第一发光层、第一ｐ型半导体层、第一ｐ型电极及第一ｎ型电极；及第二交流发光二极管，包含第二ｎ型半导体层、第二发光层及第二ｐ型半导体层、第二ｐ型电极及第二ｎ型电极；其中该第一交流发光二极管与该第二交流发光二极管形成反向并联的垂直堆叠结构。
【技术特征摘要】
一种交流发光二极管组合结构，包含第一交流发光二极管，包含第一n型半导体层、第一发光层、第一p型半导体层、第一p型电极及第一n型电极；及第二交流发光二极管，包含第二n型半导体层、第二发光层及第二p型半导体层、第二p型电极及第二n型电极；其中该第一交流发光二极管与该第二交流发光二极管形成反向并联的垂直堆叠结构。2. 如权利要求1所述的交流发光二极管组合结构，还包括连接该第一交流发光二极管 与该第二交流发光二极管的键合层。3. 如权利要求2所述的交流发光二极管组合结构，其中该键合层的材料选自IT0、BCB、 SINR及HT250所构成的群组。4. 如权利要求2所述的交流发光二极管组合结构，其中该第一交流发光二极管与该 第二交流发光二极管以晶片粘贴方式、管芯粘贴方式或倒装焊键合方式形成该垂直堆叠结 构。5. 如权利要求2所述的交流发光二极管组合结构，其中该键合层连接该第一交流发光 二极管的第一 n型半导体层与该第二交流电...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈威佑，陈彦文，徐舒婷，李宗宪，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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