溅射装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种低成本的溅射装置，其可促进从靶上飞溅的原子的离子化以进行稳定的自溅射。其包括：与在真空腔（２）内应处理的基板Ｗ相对配置的靶（３），在靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件（４），以及向靶施加负的直流电位的ＤＣ电源（５）。在靶的溅射面的背面一侧的中央区域设置第一线圈（６），所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间；当由所述溅射电源向所述靶施加负电位时，所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及溅射装置，尤其是可以稳定地进行自溅射的DC磁控管溅射装置。
技术介绍
随着近年布线图案的细微化，需要进一步提高覆层表面的均勻性。作为实现上述 要求的一个方法，例如可使用公知的利用SIP (Self-Ionized Plasma)技术的DC磁控管溅 射装置。应用上述SIP技术，通过在电子约束能力较高的磁场中施加高电压，可得到高密度 的等离子体。作为可稳定地进行上述自溅射的装置，公知的有专利文献1所述的下述构成在 靶的溅射面的背面侧设置磁铁组合件以在靶溅射面的前方形成磁场，同时在真空腔的侧面 设置线圈，通过线圈用电源给该线圈通电使相对溅射面产生垂直的磁场，以促进从靶上飞 溅的原子的离子化。但是，在上述专利文献1记载的装置中，因为另外设置给线圈通电的电源，故会导 致溅射装置的高成本问题。并且，为了调节磁场的强度和磁场的方向，还需要具备控制线圈 通电电流的电流控制电路，使成本进一步提高。专利文献1 特开2000-144411号公报
技术实现思路
本专利技术的问题是提供一种低成本的溅射装置，其可促进从靶上飞溅的原子的离子 化以进行稳定的自溅射。为解决上述问题，本专利技术的溅射装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射装置，其特征在于包括：与在真空腔内应处理的基板相对配置的靶，在所述靶的溅射面的前方形成磁场的磁铁组合件，以及向所述靶施加负直流电位的第一电源；　　在所述靶的溅射面的背面一侧设置第一线圈，所述第一线圈电连接在所述第一电源和所述靶的输出之间；当由所述溅射电源向所述靶施加负电位时，所述第一线圈被通电并在溅射面的前方产生磁场。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：森本直树，近藤智保，长屿英人，森大介，佐野昭文，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]