半导体存储器件制造技术

在使用纵型晶体管的ＳＧＴ所构成的４Ｆ２存储器单元中，因比特线是由柱状硅层下部的扩散层所形成，故为高电阻，有存储器的动作速度变慢的问题点。本发明专利技术提供一种半导体存储器件，其特征为：在使用纵型晶体管的ＳＧＴ所构成的４Ｆ２存储器单元中，将具有与存储器单元同样构造的比特线衬褙用单元插入存储器单元阵列内，在比特线衬褙用单元中将由扩散层所形成的第一比特线与比第一比特线还低电阻的第二比特线予以衬褙，借此一边抑制存储器单元阵列面积的增大，一边使比特线低电阻化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体存储器件及其制造方法。
技术介绍
为了实现LSI (Large-Scale Integration ；大型集成电路)的高集成化与高性能 化，已提出有一种具有在半导体衬底的表面形成柱状半导体层，且在柱状半导体层的侧壁 以围绕柱状半导体层的方式所形成的栅极(gate)的纵型栅极晶体管的SGT(Surrounding Gate Transistor 环绕栅极式晶体管)(专利文献1 日本国特开平2-188966)。在SGT中 因漏极(drain)、栅极(gate)、以及源极(source)配置于垂直方向，故与现有的平面型晶体 管(planar type transistor)相比，可大幅缩小占有面积。当使用SGT形成DRAM(动态随机存取存储器)时，由于可构成交叉点(cross point)型的存储器单元阵列(memory cell array)，所以理论上可实现4F2的单元尺寸 (cell size)。因此，与使用具有6F2或8F2的单元尺寸的现有的平面型晶体管的DRAM相 比，可大幅地缩小单元尺寸。因此，使用SGT的DRAM(以下表示为SGT-DRAM)非常有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，其特征在于，是使用具有漏极、栅极、以及源极配置于柱状硅层的垂直方向，且栅极电极围绕柱状半导体层的构造的纵型晶体管而构成，在存储器单元阵列内形成有由第一层所构成且连接于感测放大器的第一比特线，及由与所述第一层不同的层所构成且连接于所述感测放大器并比所述第一比特线还低电阻的第二比特线；在第一比特线上，所述纵型晶体管是形成一列；所述纵型晶体管的栅极电极是形成配线于与所述第一比特线垂直方向的字线；所述纵型晶体管包含用以选择存储器单元的第一晶体管及用以连接所述第一比特线与所述第二比特线的第二晶体管，在存储器动作中所述第二晶体管会变成导通，借此使所述第一比特线通过所述第二比特线予以衬褙...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：舛冈富士雄，新井绅太郎，
申请(专利权)人：日本优尼山帝斯电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]