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在使用纵型晶体管的ＳＧＴ所构成的４Ｆ２存储器单元中，因比特线是由柱状硅层下部的扩散层所形成，故为高电阻，有存储器的动作速度变慢的问题点。本发明提供一种半导体存储器件，其特征为：在使用纵型晶体管的ＳＧＴ所构成的４Ｆ２存储器单元中，将具有与存储...
该专利属于日本优尼山帝斯电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本优尼山帝斯电子株式会社授权不得商用。

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