传感基板及其制造方法技术

技术编号:4900583 阅读:176 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种传感基板及其制造方法。该制造方法包括:在衬底基板一侧表面上沉积第一向电极线的材料薄膜;采用单色调掩膜板对第一向电极线的材料薄膜进行构图工艺,形成包括第一向电极线的图案;在形成第一向电极线的衬底基板上沉积绝缘层;采用单色调掩膜板对绝缘层进行构图工艺,形成过孔;在绝缘层上沉积第二向电极线的材料薄膜;在第二向电极线的材料薄膜上沉积配线的材料薄膜;采用双色调掩膜板对配线的材料薄膜和第二向电极线的材料薄膜进行构图工艺,形成包括第二向电极线、第一配线和第二配线的图案。本发明专利技术采用双色调掩膜板构图工艺同时完成一个方向电极线和配线的图案,简化了工序,降低了产品成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及触控装置的结构技术,尤其涉及一种。
技术介绍
现有的触控面板,又称触摸面板,通常可以包括电阻式、电容式和电感式等,其所 基于的检测原理不同,但通常触控面板的主要部件传感基板上均需要设置至少两个方向的 电极线,一般是包括相互垂直的X向电极线和Y向电极线。为了满足触控面板大型化、快速 响应以及高解析度等要求,目前通常采用构图工艺来形成电极线和配线的图案,所谓构图 工艺即曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。以静电容量式这种电容式传感基板为例,目前的制造技术方案一般有两种。一种 方案是将X向电极线和Y向电极线分别制备在衬底基板的两侧表面上,而后分别以配线在 衬底基板的边缘处连接各个电极线至控制装置中,以便控制装置识别传感基板上的被触控 位置。另一种方案是将X向电极线和Y向电极线均制备在衬底基板一侧的表面上,以绝缘 层相互隔离。配线均设置在绝缘层上,可通过绝缘层上的过孔与绝缘层下的电极线连接。在进行本专利技术的研究过程中,专利技术人发现现有技术存在如下缺陷X向电极线、Y 向电极线、配线以及绝缘层上过孔的图案均需要独立的构图工艺步骤来形成,因此导致传 感基板的制造工艺复杂,生产效率低、产品成本高。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种,以简化传感基板的制造 工艺,提高生产效率,降低产品成本。本专利技术实施例提供了一种传感基板的制造方法,包括在所述衬底基板一侧表面上沉积第一向电极线的材料薄膜;采用单色调掩膜板对所述第一向电极线的材料薄膜进行构图工艺,形成包括第一 向电极线的图案;在形成第一向电极线的衬底基板上沉积绝缘层;采用单色调掩膜板对所述绝缘层进行构图工艺,形成过孔,所述过孔对应所述第 一向电极线的位置;在所述绝缘层上沉积第二向电极线的材料薄膜;在所述第二向电极线的材料薄膜上沉积配线的材料薄膜;采用双色调掩膜板对所述配线的材料薄膜和第二向电极线的材料薄膜进行构图 工艺,形成包括第二向电极线、第一配线和第二配线的图案,第一配线通过所述绝缘层上的 过孔与第一向电极线相连,第二配线与第二向电极线相连,所述第一配线和第二配线的图 案形成在第二向电极线的材料薄膜之上。本专利技术实施例还提供了另一种传感基板的制造方法,包括在衬底基板一侧表面上沉积第一向电极线的材料薄膜;在所述第一向电极线的材料薄膜上沉积第一配线的材料薄膜;采用双色调掩膜板对所述第一配线的材料薄膜和第一向电极线的材料薄膜进行 构图工艺,形成包括第一向电极线和第一配线的图案,第一配线与第一向电极线相连,且所 述第一配线的图案形成在第一向电极线的材料薄膜之上;在所述衬底基板另一侧表面上沉积第二向电极线的材料薄膜;在所述第二向电极线的材料薄膜上沉积第二配线的材料薄膜;采用双色调掩膜板对所述第二配线的材料薄膜和第二向电极线的材料薄膜进行 构图工艺,形成包括第二向电极线和第二配线的图案,第二配线与第二向电极线相连,且所 述第二配线的图案形成在第二向电极线的材料薄膜之上。本专利技术实施例提供了一种传感基板,包括衬底基板,所述衬底基板一侧表面上形 成有第一向电极线和第二向电极线;所述第一向电极线和第二向电极线之间形成有绝缘 层;第一配线通过所述绝缘层上的过孔与第一向电极线相连,第二配线与第二向电极线相 连,其中所述第一配线和第二配线的图案形成在所述第二向电极线的材料薄膜之上。本专利技术实施例还提供了另一种传感基板,包括衬底基板,所述衬底基板两侧表面 上分别形成有第一向电极线和第二向电极线;所述衬底基板两侧表面上分别形成有第一配 线和第二配线,第一配线与第一向电极线相连,第二配线与第二向电极线相连,其中所述 第一配线的图案形成在所述第一向电极线的材料薄膜之上,和/或所述第二配线的图案形 成在所述第二向电极线的材料薄膜之上。由以上技术方案可知,本专利技术采用双色调掩膜板同时完成一个方向电极线和配线 的图案,减少了掩膜曝光的工序,简化了传感基板的制造工艺,提高了生产效率,降低了产 品成本。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的传感基板的制造方法流程图;图2为本专利技术实施例一中传感基板形成第一向电极线后的局部俯视结构示意图;图3为图2中的A-A向侧视剖面结构示意图;图4为本专利技术实施例一中传感基板形成绝缘层和过孔后的局部俯视结构示意图;图5为图4中的B-B向侧视剖面结构示意图;图6为本专利技术实施例一中双色调掩膜板构图工艺的流程图;图7为本专利技术实施例一中传感基板上光刻胶显影后的局部俯视结构示意图;图8为图7中沿C-C线的侧视剖面结构示意图;图9为本专利技术实施例一中传感基板上形成第二向电极线图案后的侧视剖面结构 示意图;图10为本专利技术实施例一中传感基板上形成配线图案后的侧视剖面结构示意图;图11为本专利技术实施例二提供的传感基板的制造方法的流程图;图12为本专利技术实施例二所形成的传感基板的局部俯视结构示意图;图13为图12中传感基板的仰视结构示意图;图14为图12中的D-D向侧视剖面结构示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例,都属于本专利技术保护的范围。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的传感基板的制造方法流程图,该方法包括步骤101、在衬底基板1 一侧表面上沉积第一向电极线的材料薄膜,衬底基板1 一 般可以采用玻璃板;步骤102、采用单色调掩膜板对第一向电极线的材料薄膜进行构图工艺,形成包括 第一向电极线2的图案,如图2所示,图3为图2中的A-A向剖面结构示意图,将第一向电极 线2的形状设计为串连的四边形,可以有效增大电极线的面积,提高对触摸物的识别精度;步骤103、在形成第一向电极线2的衬底基板1上沉积绝缘层3,图2等后续俯视 图中不示出绝缘层3;步骤104、采用单色调掩膜板对绝缘层3进行构图工艺,形成过孔4,各过孔4分别 对应边缘处第一向电极线2的位置;步骤105、在绝缘层3上沉积第二向电极线的材料薄膜50 ;步骤106、在第二向电极线的材料薄膜50上沉积配线的材料薄膜;步骤107、采用双色调掩膜板对配线的材料薄膜和第二向电极线的材料薄膜50进 行构图工艺,形成包括第二向电极线5、第一配线61和第二配线62的图案,第一配线61通 过绝缘层3上的过孔4与第一向电极线2相连,第二配线62与第二向电极线5相连,第一 配线61和第二配线62的图案形成在第二向电极线的材料薄膜50之上,如图4所示,图5 为图4中的B-B向剖面结构示意图。上述第一向电极线和第二向电极线的材料通常为透明导电材料,例如铟锡氧化物 (Indium Tin Oxides ;以下简称ΙΤ0),当传感基板与显示器重叠设置时,不遮挡显示器出 射光。第一向电极线和第二向电极线通常即为在一个平面内且相互垂直的X向电极线和Y 向电极线。第一配线和第二配线可以采用透明导电材料也可以采用非透明导电材料形成在 衬底基板的边缘,例如银(Ag),保持与电极线相连。在本实施例中,步骤107中的双色调掩膜板构图工艺的实现形式可以有多种,其 中一种具体实施方式包括如图6所示的步骤步骤601、在配线的材料薄膜60上涂覆光刻胶7 ;步骤602、采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传感基板的制造方法,其特征在于,包括:在所述衬底基板一侧表面上沉积第一向电极线的材料薄膜;采用单色调掩膜板对所述第一向电极线的材料薄膜进行构图工艺,形成包括第一向电极线的图案;在形成第一向电极线的衬底基板上沉积绝缘层;采用单色调掩膜板对所述绝缘层进行构图工艺,形成过孔,所述过孔对应所述第一向电极线的位置;在所述绝缘层上沉积第二向电极线的材料薄膜;在所述第二向电极线的材料薄膜上沉积配线的材料薄膜;采用双色调掩膜板对所述配线的材料薄膜和第二向电极线的材料薄膜进行构图工艺,形成包括第二向电极线、第一配线和第二配线的图案,第一配线通过所述绝缘层上的过孔与第一向电极线相连,第二配线与第二向电极线相连,所述第一配线和第二配线的图案形成在第二向电极线的材料薄膜之上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林允植
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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