电阻式触摸屏幕制造技术

本发明专利技术公开了一种能够识别多点触摸的电阻式触摸屏幕。具有多个平行排列的线条的第一电阻检测图案和第二电阻检测图案互相垂直相交，并且电压被交替地施加到只涉及所述第一电阻检测图案和所述第二电阻检测图案的线条中被触摸部分的线条，以得到Ｘ坐标和Ｙ坐标。尽管在传统范例中只能识别一个触摸点，但是可以提供能够识别传统电阻式触摸屏幕中无法识别的多点触摸的触摸屏幕。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电阻式触摸屏幕，更具体地，涉及可以识别多点触摸的电阻式触摸屏眷O
技术介绍
图1是用来说明传统的电阻式触摸屏幕的示意图。下透明膜20和上透明膜30堆 叠在绝缘膜10上。ITO (氧化铟锡)电阻膜20a和30a分别在下透明膜20的上表面和上透 明膜30的下表面上形成。被施加电压的电极20b和30b分别位于ITO电阻膜20a和30a 的相对端。位于下透明膜20上的Y轴电极20b和位于上透明膜30上的X轴电极30b排列成互相垂直。如果在ITO电阻膜20a和30a上进行触摸，则通过交替地向X轴电极30b和Y轴 电极20b施加电压，在触摸点上检测到电压，因此得到X和Y坐标。然而，由于传统方法一 次只能识别一个触摸，存在不能识别多点触摸的问题。此外，ITO电阻膜20a和30a各自的宽度很大，以显示薄层电阻特性，使得对于离 各自中心较远的位置的感应错误更大。因此，在这种情况下，需要进行适当的校正来获得精 确的感应坐标。
技术实现思路
技术问题因此，本专利技术考虑到上述问题而提出，而且本专利技术的目的是提供可以识别多点触 摸的电阻式触摸屏幕。本专利技术的另一目的是提供电阻式触摸屏幕，其中电阻膜具有小宽度以显示线性电 阻特性，因而不需要传统的坐标校正。技术方案根据本专利技术的一个方面，通过提供电阻式触摸屏幕可以实现上述和其它目的，所 述电阻式触摸屏幕包括绝缘膜；下透明膜，堆叠在所述绝缘膜上；上透明膜，堆叠在所述 下透明膜上；第一电阻检测图案，在所述下透明膜上形成，并且具有平行排列的多个线条； 第二电阻检测图案，在所述上透明膜上形成，并且具有平行排列的多个线条，其中所述第一 电阻检测图案与所述第二电阻检测图案互相垂直地相交；第一电极，位于所述第一电阻检 测图案的线条的相对端；第二电极，位于所述第二电阻检测图案的线条的相对端；以及坐 标识别单元，其施加电压给所述第一电极和所述第二电极，并且读出被触摸部分的电压，以 得到X和Y坐标。优选地，所述第一电阻检测图案位于下透明膜的上表面上，以及所述第二电阻检 测图案位于上透明膜的下表面上。优选地，所述第一电阻检测图案和所述第二检测图案形 成为透明导电膜(即，ITO膜)。 优选地，所述第一电极和所述第二电极使用银墨形成。优选地，所述坐标识别单元交替地给只涉及所述第一电阻检测图案和所述第二电 阻检测图案的线条中被触摸部分的线条施加电压，以得到X坐标和Y坐标。优选地，所述坐标识别单元检测XY坐标，将位置变化视为当触摸位置在所述第一 电阻检测图案和所述第二电阻检测图案相交的区域中变化时，△ V发生的变化。优选地，当同时触摸所述第一电阻检测图案的相邻线条时，坐标识别单元读出所 述同时触摸到的第一电阻检测图案的线条的各自电压，并且检测出坐标值作为所述电压的 平均值。优选地，当同时触摸所述第二电阻检测图案的相邻线条时，坐标识别单元读出所述 同时触摸到的第二电阻检测图案的线条的各自电压，并且检测出坐标值作为所述电压的平 均值。优选地，当发生多点触摸并且所触摸的位置形成封闭回路而触摸到多于所述第一 电阻检测图案的两条线条时，坐标识别单元通过同时对所触摸到的第一电阻检测图案的线 条施加电压来读出坐标值。优选地，当所触摸的位置形成封闭回路而触摸到多于所述第二 电阻检测图案的两条线条时，坐标识别单元通过同时对所触摸到的第二电阻检测图案的线 条施加电压来读出坐标值。有益效果在传统的电阻式触摸屏幕中，只能识别一个触摸点。但是根据本专利技术，可以提供能 够识别在传统电阻式触摸屏幕中无法识别的多点触摸的触摸屏幕。此外，ITO电阻膜具有 多条线条(每条具有小宽度并且显示线性电阻特性)，不需要由于传统的ITO电阻膜的薄层 电阻特性而需要进行的坐标校正。附图说明本专利技术的以上和其它目的、特征和优点将通过对以下结合附图给出的优选实施例 的描述而变得清楚，其中图1是用于说明传统的电阻式触摸屏幕的示意图；图2是用于说明根据本专利技术的能够识别多点触摸的触摸屏幕的示意图；图3是图2的俯视图；图4和图5是用于说明当本专利技术中形成封闭回路时的问题的示意图；以及图6是电路图模型，用于说明解决在形成封闭回路时的问题的方法。具体实施例方式在下文中，将参照附图来描述本专利技术的优选实施例。图2是用于说明根据本专利技术的能够识别多点触摸的触摸屏幕的示意图。下透明膜 200和上透明膜300在绝缘膜100上堆叠。Y轴透明电阻检测图案200a在下透明膜200的 上表面上形成，而X轴透明电阻检测图案300a在上透明膜300的下表面上形成。透明电阻检测图案200a和300a可以如同传统范例一样形成为ITO膜。然而，以 不同于传统范例的方式，单个的膜具有多条线条。Y轴透明电阻检测图案200a和X轴透明 电阻检测图案300a排列成互相垂直，而线条在其中形成行和列。Y轴电极200b和X轴电极 300b分别在透明检测图案200a和300a的线条的相对端形成。电极200b和电极300b可以 使用银墨。图3是图2的俯视图，只示出了透明电阻检测图案200a和300a以及电极200b和 300b，用以说明本专利技术能够识别多点触摸的优点。[A点的坐标]将VDD (供应电压)施加到Yl+以及将GND (接地电压)施加到Yl-后，在X2+(或 X2-)处检测到电压，并且该电压值表示X坐标值。S卩，X坐标电压=VDD*(l/6) + AV = X坐标值将VDD施加到X2+以及将GND施加到X2-后，在Yl+(或Yl-)处检测到电压，并且 该电压值表示Y坐标值。即，Y坐标电压=VDD* (8/9) + AV = Y坐标值在这种情况下，AV表示当A点的位置在X2轴与Yl轴相交的区域中变化时发 生的电压变化。最大的Δν在X轴中不超过VDD* (1/6)，并且最大的AV在Y轴中不超过 VDD* (1/9)。在触摸位置在Y轴透明电阻检测图案200a与X轴透明电阻检测图案300a相交的 区域中改变的情况下，Δν的大小改变。因此，即使在Y轴透明电阻检测图案200a与X轴透 明电阻检测图案300a相交的区域中，也可以通过反映Δ V的变化而得到精确的触摸位置。[B点的坐标]将VDD施加到Χ4+以及将GND施加到Χ4-后，在Yl + (或Yl-)处和Υ2+ (或Υ2-)处 检测到电压，以得到第一平均值，而将VDD施加到Χ5+以及将GND施加到Χ5-后，在Yl+ (或 Yl-)处和Υ2+(或Υ2-)处检测到电压，以得到第二平均值。然后，再得到所述第一平均值和 所述第二平均值的平均值，并且所述平均值表示Y坐标值。同样地，可以按照上述方法单独地表示C、D和E点的位置。具体地，当以一般矩阵 方法表示C点时，如果在触摸A点和D点的状态下触摸C点，则不能检测出C点。不过，在 本专利技术中可以单独地检测出C点。[C点的坐标]将VDD施加到Y5+以及将GND施加到Y5-后，在X2+ (或X2-)处检测到电压，并且 所述电压值表示X坐标值。gp，X 坐标电压=VDD*(l/6) + AV = X 坐标值。将VDD施加到X2+以及将GND施加到X2-后，在Y5+(或Y5-)处检测到电压，并且 所述电压值表示Y坐标值。即，Y坐标电压=VDD* (4/9) + AV = Y坐标值。[D点的坐标]将VDD施加到Υ5+以及将GND施加到Υ5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能够识别多点触摸的电阻式触摸屏幕，包括：绝缘膜；下透明膜，其堆叠在所述绝缘膜上；上透明膜，其堆叠在所述下透明膜上；第一电阻检测图案，其在所述下透明膜上形成，并且具有多个平行排列的线条；第二电阻检测图案，其在所述上透明膜上形成，并且具有多个平行排列的线条，其中所述第一电阻检测图案和所述第二电阻检测图案互相垂直相交；第一电极，其位于所述第一电阻检测图案的线条的相对端；第二电极，其位于所述第二电阻检测图案的线条的相对端；以及坐标识别单元，用于将电压施加到所述第一电极和所述第二电极，并且读出被触摸部分的电压，以得到Ｘ坐标和Ｙ坐标。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2008-1-15 10-2008-0004548一种能够识别多点触摸的电阻式触摸屏幕，包括绝缘膜；下透明膜，其堆叠在所述绝缘膜上；上透明膜，其堆叠在所述下透明膜上；第一电阻检测图案，其在所述下透明膜上形成，并且具有多个平行排列的线条；第二电阻检测图案，其在所述上透明膜上形成，并且具有多个平行排列的线条，其中所述第一电阻检测图案和所述第二电阻检测图案互相垂直相交；第一电极，其位于所述第一电阻检测图案的线条的相对端；第二电极，其位于所述第二电阻检测图案的线条的相对端；以及坐标识别单元，用于将电压施加到所述第一电极和所述第二电极，并且读出被触摸部分的电压，以得到X坐标和Y坐标。2.如权利要求1所述的电阻式触摸屏幕，其中，所述第一电阻检测图案位于所述下透 明膜的上表面上。3.如权利要求1所述的电阻式触摸屏幕，其中，所述第二电阻检测图案位于所述上透 明膜的下表面上。4.如权利要求1所述的电阻式触摸屏幕，其中，所述第一电阻检测图案和所述第二电 阻检测图案形成为透明导电膜。5.如权利要求1所述的电阻式触摸屏幕，其中，所述第一电极和所述第二电极使用银 墨形成。6.如权利要求1所述的电阻式触摸屏幕，其中，所述坐标识别单元交替地给只涉及所 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁敏宬，
申请(专利权)人：爱迪半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：KR