【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体制造设备,具体涉及一种化学机械研磨装置。
技术介绍
对于化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)工艺设 备而言,更换耗材(consumable)的设备维护时间会消耗近10%的设备利用 率,特别是更换使用周期(lifetime)较短研磨垫(Pad)的步骤。常用的化学机械研磨装置如图l所示,晶片(wafer) 2放置于带有研 磨垫(pad) 3的研磨台(platen) 1上,在研磨液(slurry) 4辅助润滑下, 对晶片2进行研磨抛光。这种化学机械研磨装置所用到的研磨垫3都是通过背面粘性材料粘贴 在研磨台1上,如图2所示。做研磨垫3的更换维护时,需要停下设备, 从研磨台1上撕下旧研磨垫3,清洁研磨台l,粘贴新研磨垫3,最后还要 做研磨垫3的表面平整及新研磨垫3的表面预处理(Break-in)工作,这 些步骤都很耗费时间,大大影响了设备的作业时间(Up time)。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种化学机械研磨装置,它可 以提高化学机械抛光设备的生产效率。为解决上述技术问题,本技术化学机械研磨装 ...
【技术保护点】
一种化学机械研磨装置,其特征在于:包括研磨台,研磨台上设置有研磨垫固定底盘,研磨垫固定底盘上设置有研磨垫。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:程晓华,方精训,邓镭,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]
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