半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法，其中在衬底上制造存储晶体管和多个薄膜晶体管，其具有不同厚度的栅绝缘膜。本发明专利技术的特征在于该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管之间的结构差异。具体地，该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管的一些被设置为具有底栅结构，而其它薄膜晶体管设置为具有顶栅结构，这使得能够减小晶体管的特性缺陷并简化其制造工艺。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。具体地，本专利技术涉及 一种包括半导体存储器元件的。
技术介绍
近年来，多功能和高性能的小型半导体器件迅速发展，以移动装 置如移动电脑和移动电话为代表。随着这些半导体器件的发展，作为 半导体器件中包括的存储器，晶体管型半导体存储器元件(下面也称 为"存储晶体管")受到关注。作为 一种半导体存储器元件，非易失性存储器的市场不断成长， 数据可以电重写到非易失性存储器中并且在电源被切断之后仍被存储。非易失性存储器具有类似于MOS晶体管的结构，以及其特征在 于在沟道形成区上提供能长时间存储电荷的区域。在浮栅非易失性存 储器中，电荷通过沟道形成区上的隧穿绝缘膜注入到电荷积聚层(浮 栅)中，并被存储。在MONOS (金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体) 非易失性存储器中，电荷被俘获在电荷积聚层中，或使用硅团簇作为 电荷承载。在这种非易失性存储器所包括的存储晶体管中，要求半导体层和 电荷积聚层之间形成的隧穿绝缘膜尽可能薄。这是因为要求隧穿绝缘 膜足够薄使得隧穿电流穿过该隧穿绝缘膜流动。在与存储晶体管相同的衬底上形成的晶体管具有不同的结构，这 取决于包含该晶体管的电路。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件方法，包括以下步骤：　在衬底上形成第一导电膜和第二导电膜；　在第一导电膜和第二导电膜上形成第一绝缘膜；　在第一导电膜上形成电荷积聚层，第一绝缘膜插入在第一导电膜和电荷积聚层之间，允许电荷积聚层与第二导电膜不交叠；　 在第一绝缘膜和电荷积聚层上形成第二绝缘膜；　在第二绝缘膜上形成与第一导电膜交叠的第一半导体膜，与第二导电膜交叠的第二半导体膜，以及既不与第一导电膜也不与第二导电膜交叠的第三半导体膜；　在第一半导体膜、第二半导体膜以及第三半导体膜上形成第 三绝缘膜；以及　在第三半导体膜上形成第三导电膜，第三绝缘膜插入在第三半导体膜和第三导电膜之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野圭惠，掛端哲弥，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]