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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中在衬底上制造存储晶体管和多个薄膜晶体管，其具有不同厚度的栅绝缘膜。本发明的特征在于该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管之间的结构差异。具体地，该存储晶体管和所述多个薄膜晶体管的一些被设置为具有底栅结构，...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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