【技术实现步骤摘要】
本说明书总体涉及半导体，并且更具体地，涉及用于操作存储器器件的系统和方法。
技术介绍
1、随着存储器器件缩小到更小的管芯尺寸，制造成本降低，并且储存密度增大。除了在单层中水平缩放存储器单元之外，三维(3d)存储器架构可以用于垂直堆叠多层存储器单元，这增大了每单位面积的储存密度。
2、垂直堆叠的存储器单元可以形成存储器串，并且在每个存储器串中，存储器单元的沟道被连接。每个存储器单元可以通过字线和位线来寻址。共享相同字线的存储器单元的数据(即逻辑状态)可以在页级被读取或编程。然而，当执行积极的缩放时，可靠性(例如，阈值电压(vth)分布漂移)可能是对存储器器件所关注的问题。
技术实现思路
1、本公开涉及用于操作单个存储器器件、多个存储器器件以及存储器系统的方法。在一个示例中，一种用于操作存储器器件的方法包括基于至少一个电压或至少一个发展时间来对存储器器件的存储器单元执行感测操作。存储器单元耦合到字线。该方法还包括基于感测操作的结果来识别读取偏移。读取偏移可以包括从至少一个电压中选择...
【技术保护点】
1.一种用于操作存储器器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述配置数据具有四个字节，其中，所述四个字节包括预定比特，并且其中，当所述预定比特的值为1时，所述预定比特指示要施加所述读取偏移。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，所述配置数据存储在所述存储器器件的寄存器中。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述感测操作基于固定发展时间和包括由V1、V2、……、VN(V1<V2<……<VN)表示的N个电压的所述至少一个电压，其中，...
【技术特征摘要】
1.一种用于操作存储器器件的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述配置数据具有四个字节，其中，所述四个字节包括预定比特，并且其中，当所述预定比特的值为1时，所述预定比特指示要施加所述读取偏移。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，所述配置数据存储在所述存储器器件的寄存器中。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述感测操作基于固定发展时间和包括由v1、v2、……、vn(v1<v2<……<vn)表示的n个电压的所述至少一个电压，其中，所述感测操作包括：
6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述感测操作基于固定电压和包括由t1、t2、……、tn(t1<t2<……<tn)表示的n个发展时间的所述至少一个发展时间，其中，所述感测操作包括：
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述读取偏移存储在所述存储器器件的sram中。
9.一种用于操作包括存储器器件和存储器控制器的存储器系统的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，所述配置数据具有四个字节，其中，所述四个字节包括第一预定比特，其中，当所述第一预定比特的值为1时，所述第一预定比特指示要施加所述读取偏移。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述四个字节还包括第二预定比特，其中，当所述第二预定比特的值为1时，所述第二预定比特指示要执行感测操作，并且其中，所述读取偏移是从所述感测操作生成的。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：董文雯，刘亚海，黄蔚，万维俊，李建杰，岑斐灏，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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