【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子，特别是涉及一种反向并联二极管电路串级分立元件网络实现的忆阻器。
技术介绍
1、忆阻器(memristor)的概念，定义为除电阻、电容、电感之外的第四种基本元器件；因忆阻器本身阻值随时间记忆的特性，使得其在模型分析、电路设计、电路器件设计以及对生物的记忆行为仿真等领域有很好的应用前景。
2、研究人员依据惠普实验室中的无源非线性特性模型，设计了大量的忆阻器数学模型，从现有的文献看，大致分为：分段线性忆阻器模型、三次光滑型忆阻器模型、二次光滑型忆阻器模型、双曲余弦忆阻器模型、双曲正切忆阻器模型等。
3、基于上述数学模型，研究人员物理实现了许多忆阻器，因为数学模型相当复杂，设计的忆阻器均存在物理结构复杂，或伴随调试困难和线性较差等缺点。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种反向并联二极管电路串级分立元件网络实现的忆阻器，以解决上述现有技术存在的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种反向并联二极管电路串级分立元件网络实现的忆...
【技术保护点】
1.一种反向并联二极管电路串级分立元件网络实现的忆阻器，其特征在于，包括反向并联二极管电路和分立元件，所述反向并联二极管电路的一端连接信号源的正极端，另一端通过分立元件连接信号源的负极端。
2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述反向并联二极管电路包括反向并联的两个二极管。
3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述分立元件包括电感，所述电感一端连接所述反向并联二极管电路，另一端连接信号源的负极端。
4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述分立元件包括RC并联电路，所述RC并联电路一端连接所述反向并联二极管电路...
【技术特征摘要】
1.一种反向并联二极管电路串级分立元件网络实现的忆阻器，其特征在于，包括反向并联二极管电路和分立元件，所述反向并联二极管电路的一端连接信号源的正极端，另一端通过分立元件连接信号源的负极端。
2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述反向并联二极管电路包括反向并联的两个二极管。
3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述分立元件包括电感，所述电感一端连接所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕恩胜，熊丽，白金柯，李志伟，钟紫艳，王丽余，
申请(专利权)人：河南应用技术职业学院，
类型：发明
国别省市：
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