【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及存储装置、存储器系统及其操作方法。
技术介绍
1、在非易失性存储装置中，写入的数据首先被快速存储在高速缓存锁存器中，然后被移动到数据锁存器中。在将数据写入存储装置的物理存储单元阵列的一次编程过程中，只有一页数据可以从高速缓存锁存器转移到数据锁存器。这样，当通过编程写入物理存储单元阵列的数据页数大于一页时，需要等待编程结束，然后将页数据从高速缓存锁存器单独移动到数据锁存器。因此，将数据写入至存储单元阵列的过程效率低下且无法提供连续编程。
技术实现思路
1、在一方面，一种存储装置包括存储单元阵列。所述存储单元阵列中的所述存储单元按行和列排列，并且每个存储单元被设置为与一条n比特数据相对应的2n个电平之一，其中n为大于1的整数。所述存储装置还包括外围电路，所述外围电路耦合至所述存储单元阵列并且被配置为：以高速缓存编程的方式对第一物理页和第二物理页中的所述存储单元阵列依次并且分别执行第一编程和第二编程，以及在所述第一编程和所述第二编程期间，基于所述第一物理页和所述第二物理页的n个逻辑页，...
【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一非物理页信息包括验证信息和编程信息。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
6.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
8.根据权利要求1所述的存储装置，其中
<...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一非物理页信息包括验证信息和编程信息。
4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
6.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
8.根据权利要求1所述的存储装置，其中
9.根据权利要求1所述的存储装置，其中
10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，每个页缓冲器还包括偏置锁存器，所述偏置锁存器被配置为存储相对应位线的电压偏置信息。
11.根据权利要求1所述的存储装置，其中，每个页缓冲器还包括：
12.根据权利要求1所述的存储装置，还包括三维nand闪存设备。
13.一种存储装置，包括：
14.根据权利要求13所述的存储装置，其中，所述每个页缓冲器还包括被配置为存储第一非物理页信息的主锁存器，其中，所述外围电路还被配置为：
15.根据权利要求14所述的存储装置，其中，所述外围电路还被配置为：
【专利技术属性】
技术研发人员：万维俊，盛悦，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。