图案数据的处理方法以及电子器件的制造方法技术

一种用于掩膜图案的数据处理方法。所述方法包括分析掩膜图案的数据（ＳＦ），并且根据掩膜图案指定具有预定形状和预定尺寸的图案区域（ＢＤ）。所述图案区域（ＢＤ）用作对准标记。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术公开涉及在掩膜上形成的掩膜图案的图案数据的处理方法以 及电子器件的制造方法，更具体地，涉及对用于制造诸如半导体元件的电 子器件的光掩膜的数据产生和对准有效的技术。
技术介绍
通it^用作曝光体的基底(诸如硅晶片)上叠加几十层电路图案来制 造诸如LSI的电子器件。每一层的电路图案是4吏用光刻处理形成的，所述 光刻处理用投影曝光装置将绘制在光掩膜(在下文中也简单称为掩膜)上 的掩膜图案转移到基底上。在电子器件的制造过程的每个光刻处理中，在存在于基底上的电路图 案和新转移的图案之间的精确对准是极其重要的.为此目的，首先必须精 确地检测在之前的光刻处理中啄光到基底上的电路图案的位置。因此，如在专利文献l中所公开的那样，除了在基底上形成的电路图 案之外，在现有技术中使用了包括专用对准标记的光掩膜，该专用对准标 记与电路图案具有预定的位置关系。在光刻处理中，将所述对准标记连同 电路图案一起曝光到基底上。通过测量在基底上形成的专用对准标记的位 置来检测在基底上形成的电路图案的位置。通常将对准标记布置在基底上,皮称作街线的区域中，该街线具有大约 50nm到120nm的宽度且存在于相邻的集成电i ML间。日；^J^开专利No.2002-04321
技术实现思路
如上所述，在现有技术中，在光掩膜上与电路图案分开地布置对准标 记。因此，用于在光掩膜上布置对准标记的布局设计是必要的。此外，对准标记的布置限于相邻的集成电5Mu、司的区域。因此，对准 标记的布置的自由度低，且难于在单个集成电路中布置对准标记。本专利技术公开提供了一种图案数据的处理方法，该方法基于在掩膜上形 成的掩膜图案(例如，电路图案)的设计数据而指定可用作对准标记的区域， ，此外，本专利技术提供了一种通过精确测量在基底上的掩膜图案(例如， 电路图案)的位置，在无需与掩膜图案分开地布置对准标记的情况下制造 电子器件的方法。在一方面，用于处理掩膜图案的设计数据的图案数据处理方法包括基 于设计数据指定预定区域作为图案区域，其中基于设计数据，所述预定区 域在第一方向上的尺寸大于或者等于第一参考值，在与第一方向交叉的方 向上的尺寸大于或者等于第二参考值。在另一方面，电子器件的制造方法包括第一曝光步骤，其在曝光体 上形成第一掩膜图案；图案区域指定步骤，其使用上述图案数据处理方法， 根据第一掩膜图案的设计数据指定图案区域；位置确定步骤，其使用与在 图案区域指定步骤中获得的图案区域有关的信息来确定在第一曝光步骤 中在啄光体上形成的第一掩膜图案的位置信息；以及第二曝光步骤，其基 于在位置确定步骤中获得的第一掩膜图案的位置信息而在曝光体上形成 第二掩膜图案。在本专利技术公开的一个方面的所述图案数据处理方法中，可根据掩膜图 案的设计数据将可用作对准标记的区域指定为图案区域。在本专利技术的另一方面的所述电子器件的制造方法中，根据在第一曝光 步骤或者之前的曝光步骤中形成的第一掩膜图案的设计数据来指定可用 作对准标记的基底上的图案区域，而无需与掩膜图案分开地布置对准标记 且可基于图案区域确定第一掩膜图案的位置信息。附图说明6现在将参考附图描述实施本专利技术的各个特征的一般结构。提供附图和 相关联的描述是用于示出本专利技术的实施例而并非用于限制本专利技术的范围。图l是示出掩膜数据处理的实施例的结构示例的图示；图2是用于根据掩膜设计数据SF指定图案区域BD的流程图3是示出被布置为位案40的掩膜设计数据SF的图示；图4是具体示出图案区域BD的图示；图5是具体示出所述图案区域BD的图示；图6是详细示出图2所示的流程图的部分过程的流程图7是用于检查图案区域BD的流程图8 (A)是示出图案区域BD1的图示，图案区域BD1包括其中数 据是0的区域FBD;图8 (B)是示出用于从图8 (A)的图案区域BD1 中排除区域FBD的过程的图示；且图8 (c)是示出从中排除了区域FBD 的最大矩形区域的图案区域BD2的图示；图9是示出对在图案区域中数据是0的区域的检查的图示；图IO是示出用于将孔图案组指定为图案区域的方法的图示；以及图11是示出曝光装置的结构的示意图。具体实施例方式图1示出了用于实施图案数据的处理方法的优选石更件结构的一个示 例，该处理方法用于处理在掩膜上形成的掩膜图案(诸如电路图案)的图 案数据(在本说明书中，也称作掩膜设计数据)，以及用于指定在第一方 向上的尺寸或者大小大于或者等于第一参考值且在与第一方向交叉的方 向上的尺寸大于或者等于第二参考值的预定区域作为图案区域。掩膜设计数据，即用于绘制掩膜的图案数据(掩膜绘制图案数据)是 电子信息，该电子信息包括用于形成要在光掩膜上形成的电路图案的每个 图案的位置信息、形状信息以及透射率信息，其在制造半导体集成电路等 时用于光刻处理中。掩膜i殳计数据不限于掩膜绘制图案数据，也可以是 于可变掩膜的图 案数据，所述可变掩膜具有可以改变形状的图案。可变掩膜可具有这样的 结构，在该结构中，在玻璃基底上由液晶形成大量的可以打开和关闭的孩吏小窗口。所述液晶被驱动以控制每个窗孔的打开和关闭，以〗更在玻璃基底 上显示所期望的电路图案。在光掩膜上形成图案的过程中，掩膜设计数据可以是位图数据格式 (也称作光栅数据格式)，其中以位图布置二进制数据，由值l表示定义透射部分的地方，由值o (零)表示定义光屏蔽部分的地方。此外，掩膜设计数据可以是诸如GDS2格式的向量数据格式，其中将 由上述位图数据格式表示的图案划分成大量的微小多边形(诸如方形和三 角形)，并且记下每个顶点的X和Y坐标值。在4^>开中，以位图数据格式表示的图案也称作位案。在图1中，将用于制造诸如半导体元件的电子器件的各个换^膜图案的 掩膜设计数据SF存储在存储设备11 (诸如数据存储单元10的硬盘)中。 数据存储单元io和主计算机20通过网络被连接，4吏得掩膜i更计^:据SF 可在数据存储单元10的存储设备11和主计算机20之间传递。从数据存储单元10获取掩膜设计数据SF中的对应于必要类别的层 的掩膜设计数据SF，且将其发送到主计算机20。现在将参考图2、 3、 4和7描述图案数据处理方法的第一实施例，该 方法处理掩膜设计数据并且指定预定区域作为图案区域，所述预定区域在 第一方向上的尺寸大于或者等于第一参考值，在与第一方向交叉的方向上 的尺寸大于或者等于第二参考值。图2是示出图案lt据处理方法的一个示例的流程图。图3是示出基于掩膜设计数据SF在主计算机20的存储器上布置的 位案的一个示例的图示。图4和5是图3所示的在主计算机20的存储器上布置的位案的 局部放大视图。首先，在图2的步骤S21中，主计算机20从数据存储单元10的存储 设备11获取掩膜设计数据SF。接着，在步骤S22中，当掩膜设计数据为向量数据格式时，主计算机 20布置如图3所示的二维二进制位案40。在图3所示出的一个示例 中，以灰色示出的地方表明数据值是l，而以白色示出的地方表明翁:据值 是0。如果掩膜设计数据SF为位图数据格式，则步骤S22不是必需的。此后，通过在位案40上扫描确定点DP，根据掩膜设计数据而指 定所期望的区域。扫描方向是图3和4中的X方向，也被认为是第一方 向。将与X方向正交的Y方向认为是第二方向。在步骤S23中，主计算机20初始化确本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理掩膜图案的设计数据的图案数据处理方法，所述方法包括：　基于所述设计数据指定预定区域作为图案区域，其中所述预定区域在第一方向上的尺寸大于或者等于第一参考值且在与所述第一方向交叉的方向上的尺寸大于或者等于第二参考值。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：白石直正，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]