用于抛光垫的衬垫和使用该衬垫的抛光垫制造技术

本发明专利技术提供可实现抛光的抛光垫和用于该抛光垫的衬垫，该抛光可实现抛光表面的优异平坦性和在抛光后的膜厚度的均匀性，和同时实现高抛光速率，且还具有抛光物体如绝缘膜或金属膜的优异抛光均匀性。所述衬垫满足以下要求：在２３℃、静载荷２７．６ｋＰａ、频率１１Ｈｚ和振幅１μｍ的条件下的动态压缩粘弹性测量中，（１）动应力和变形之间的相位差不超过４度，和（２）变形的最大值与动应力的最大值的比（［变形的最大值］／［动应力的最大值］）不小于０．５μｍ／ｋＰａ。所述抛光垫包括用于抛光垫的衬垫层和抛光层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于抛光垫的衬垫和使用该衬垫的抛光垫，且该抛光垫可 用于以良好精度和高抛光效率抛光待抛光的材料例如半导体晶片等。
技术介绍
常规地，通过用聚氨酯树脂浸渍非织造织物得到的比较软的抛光垫和 由发泡聚氨酯制成的硬抛光垫已用于处理用作形成集成电路的基板的半导不平坦处理成平坦的抛光垫(例如，参见专利文献1-3)。特别地，为了具有伴随着近来半导体的小型化和多层结构的在局部尺 度(模尺寸)上的高平坦性和在总尺度(晶片尺寸)上的膜厚度的均匀性两者， 通常已使用具有作为表面层的硬抛光层和在背面上的软衬垫层的双层垫。 在这种双层垫中，在背面上的衬垫层与存在于晶片表面中的待抛光的膜的 具有比较长的波长的波动一致地使作为表面层的抛光层变形，并且由此用 于使整个晶片均匀地抛光。已提出具有特定应变系数、体积弹性模量等的 层作为用于双层结构的垫中的衬垫层(例如，参见专利文献4-6)。近年来，半导体器件的小型化、高集成和多层布线已进一步发展，且 也已要求抛光垫稳定地实现进一步更高的平坦性和在抛光后膜厚度的均匀 性。但是，在专利文献4所示的抛光垫中，对于除当受到压缩压力时的应 力常数之外的衬垫层所需的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于抛光垫的衬垫，其中　在２３℃、２７．６ｋＰａ的静载荷、１１Ｈｚ的频率和１μｍ的振幅的条件下进行动态压缩粘弹性测量时，　（１）动应力和变形之间的相位差为４°或更小，并且　（２）变形量的最大值与动应力的最大值的比［变形 量的最大值］／［动应力的最大值］为０．５μｍ／ｋＰａ或更大。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2007-3-20 071975/20071.一种用于抛光垫的衬垫，其中在23℃、27.6kPa的静载荷、11Hz的频率和1μm的振幅的条件下进行动态压缩粘弹性测量时，(1)动应力和变形之间的相位差为4°或更小，并且(2)变形量的最大值与动应力的最大值的比[变形量的最大值]/[动应力的最大值]为0.5μm/kPa或更大。2. 权利要求1所述的用于抛光垫的衬垫，其中，在50°C 、 27.6kPa的静载荷、11Hz的频率和lpm的振幅的条件下进行 动态压缩粘弹性测量时，(3) 动应力和变形之间的相位差为4。或更小，并且(4) 变形量的最大值与动应力的最大值的比[变形量的最大值]/[动应力的 最大值]为0.5-1.5pm/kPa。3. 权利要求1或2所述的用于抛光垫的衬垫，其中，在23。C、 27.6kPa的静载荷、88Hz的频率和l|am的振幅的条件下进行 动态压缩粘弹性测量时，(5) 动应力和变形之间的相位差为8。或更小，并且(6) 变形量的最大值与动应力的最大值的比[变形量的最大值]/[动应力的 最大值]为0.5-1.5|im/kPa。4. 一种抛光垫，其具有权利要求1-3中任一项所述的用...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤充，菊池博文，加藤晋哉，
申请(专利权)人：可乐丽股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]