研磨布及其加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法技术

一种研磨布及其加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法，该研磨布用以研磨半导体基板，其特征为，该布表面至少形成具有放射状图案的沟，该沟位于基板正下方部位的沟体积总和的平均值／基板面积为０．０６以上且０．２３以下，而且，该沟的形成是位于比前述基板更中心侧的沟部分的沟深度比位于前述基板正下方的沟部分的沟深度浅，在前述沟的放射状图案的中央部，沟与沟重叠一起的交点未存在于前述基板的正下方。借此，可以提供一种在半导体基板研磨时通过将必要量的研磨剂供应至基板中心部而可以高平坦度地进行研磨、而且不会发生剥离、扭曲、毛边、不会使半导体基板表面发生伤痕的研磨布及其加工方法以及基板的制造方法。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种研磨布及该研磨布的加工方法及使用该研磨布的基板的制造方法，该研磨布用以研磨基板、特别是半导体基板主表面。
技术介绍
半导体基板为了在其主表面形成半导体装置，而要求具有高表面平坦度。这是因为构成半导体装置的配线的最小线宽非常小、为0.2微米以下，有必要使半导体基板主表面平坦来减少断线等的不良情况产生。因为增大半导体装置的集成度，该配线的最小线宽有更小的倾向，随着这倾向而要求进一步提高半导体基板的表面平坦度。提高半导体基板的表面平坦度，用以研磨该表面的研磨材料是重要的。在CMP(化学机械剖光)等的单片研磨时，如图3所示，被固定于研磨头10上的半导体基板11，以所希望压力在压住贴在研磨机平台12上的研磨布13上面。而且，在研磨机平台12与半导体基板11依规定旋转数旋转的同时，从平台中央附近，喷出由喷嘴14供应的研磨剂(浆体)15，该研磨剂15进入半导体基板11与研磨布13之间进行研磨。前述研磨方法无论半导体基板多大也大致相同，为了降低半导体装置的成本，半导体基板的大小正朝向大型化进展。在研磨时半导体基板与平台的旋转有必要维持半导体基板面内的研磨均匀性，半导体基板的大口本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以研磨基板的研磨布，其特征为，在该研磨布的表面形成具有放射状图案的沟，该沟中，存在于该基板正下方的全部沟部分的总体积的平均值（位于基板正下方部分的沟体积的总和的平均值），以（位于基板正下方的沟体积的总和的平均值（ｍｍ↑［３］）／基板的面（ｍｍ↑［２］））来表示时，满足０．０６以上且０．２３以下的关系。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-9-26 335939/20031.一种用以研磨基板的研磨布，其特征为，在该研磨布的表面形成具有放射状图案的沟，该沟中，存在于该基板正下方的全部沟部分的总体积的平均值(位于基板正下方部分的沟体积的总和的平均值)，以(位于基板正下方的沟体积的总和的平均值(mm3)/基板的面(mm2))来表示时，满足0.06以上且0.23以下的关系。2.一种用以研磨基板的研磨布，在该研磨布的表面形成具有放射状图案的沟，其特征为，该沟的形成是位于比该基板更中心侧的沟部分的沟深度比位于该基板正下方的沟部分的沟深度浅，在该沟的放射状图案的中央部，沟与沟重叠一起的交点未存在于该基板的正下方。3.如权利要求1或2所述的研磨布，其中该沟的沟宽一定，沟与沟的形成角度大于下述数学式1所得到的数值(数学式1)沟与沟的形成角度＝2×sin-1(沟宽/(2×(从研磨布中心至基板中心的距离—基板半径)))。4.如权利要求1至3任一项所述的研磨布，其中该沟的沟宽为2.0mm以下。5.如权利要求1至4任一项所述的研磨布，其中该研磨布为不织布型或是绒面型。6.一种基板的制造方法，其特征为，使用权利要求1至5任一项所述的研磨布研磨基板。7.如权利要求6所述的研磨布，其中该研磨基板使用单晶硅晶片或是...

【专利技术属性】
技术研发人员：添田康嗣，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]