【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种正型抗蚀剂组合物和一种形成抗蚀图案的方法。本专利技术要求于2003年9月18日提交的日本专利申请No.2003-326146和2003年9月24日提交的日本专利申请No.2003-331606和2004年4月14日提交的日本专利申请No.2004-119494的优先权，其内容通过参考而结合在此。
技术介绍
近几年，在半导体元件和液晶显示器元件的制备中，光刻技术的发展已经导致小型化方面的迅速发展。典型地，这些小型化技术涉及曝光源波长的缩短。直到最近，已经使用紫外线例如g-线和i-线为曝光源，但是，最近已经引入KrF受激准分子激光器(248nm)，甚至现在开始使用ArF受激准分子激光器(193nm)。满足能够复制微小尺寸图案要求的高分辨率条件的抗蚀剂材料的一个实例是化学放大型抗蚀剂组合物，其包括溶解在有机溶剂中的基础树脂和酸生成剂，所述的基础树脂在酸作用下发生碱溶解度的变化，所述的酸生成剂通过曝光生成酸。已经提出的化学放大型抗蚀剂组合物作为用于其中使用KrF受激准分子激光器进行曝光的方法的理想抗蚀剂材料典型使用聚羟基苯乙烯基树脂，其中由酸可解离的...
【技术保护点】
一种正型抗蚀剂组合物，其包括含有酸可解离的、溶解抑制基团和在酸作用下显示提高的碱溶解度的树脂组分（Ａ）和通过曝光生成酸的酸生成剂组分（Ｂ），其中所述的树脂组分（Ａ）是包含衍生自羟基苯乙烯的第一结构单元（ａ１）和衍生自具有醇式羟基的（甲基）丙烯酸酯的第二结构单元（ａ２）的共聚物（Ａ１），其中已经由酸可解离的、溶解抑制基团保护结构单元（ａ１）的羟基和结构单元（ａ２）的醇式羟基的部分，和所述的酸生成剂组分（Ｂ）包括重氮甲烷基酸生成剂和鎓盐基酸生成剂。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-9-18 326146/2003;JP 2003-9-24 331606/2003;1.一种正型抗蚀剂组合物，其包括含有酸可解离的、溶解抑制基团和在酸作用下显示提高的碱溶解度的树脂组分(A)和通过曝光生成酸的酸生成剂组分(B)，其中所述的树脂组分(A)是包含衍生自羟基苯乙烯的第一结构单元(a1)和衍生自具有醇式羟基的(甲基)丙烯酸酯的第二结构单元(a2)的共聚物(A1)，其中已经由酸可解离的、溶解抑制基团保护结构单元(a1)的羟基和结构单元(a2)的醇式羟基的部分，和所述的酸生成剂组分(B)包括重氮甲烷基酸生成剂和鎓盐基酸生成剂。2.根据权利要求1的正型抗蚀剂组合物，其中，由所述酸可解离的、溶解抑制基团保护所述结构单元(a1)的所述羟基和所述结构单元(a2)的所述醇式羟基组合的至少10摩尔％但是不超过25摩尔％，和所述共聚物(A1)在由所述酸可解离的、溶解抑制基团保护之前的重均分子量为至少2,000，但是不超过8,500。3.根据权利要求1的正型抗蚀剂组合物，其中，在所述的共聚物(A1)中，在由所述酸可解离的、溶解抑制基团保护之前，结构单元(a1)和结构单元(a2)之间的摩尔比为85∶15至70∶30。4.根据权利要求1的正型抗蚀剂组合物，其中，所述的结构单元(a2)是衍生自包含具有醇式羟基的脂肪族多环基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元。5.根据权利要求4的正型抗蚀剂组合物，其中，所述的结构单元(a2)是衍生自包含具有醇式羟基的金刚烷基的(甲基)丙烯酸酯的结构单元。6.根据权利要求1的正型抗蚀剂组合物，其中，所述酸可解离的、溶解抑制基团是1-低级烷氧基烷基。7.根据权利要求1的正型抗蚀剂组合物，其中，所述的共聚物(A1)还包含衍生自苯乙烯的第三结构单元(a3)。8.根据权利要求1的正型抗蚀剂组合物，其中，在所述酸可解离的、溶解抑制基团保护之前，所述的共聚物(A1)的多分散性(Mw/Mn比)不超过2.0。9.根据权利要求1的正型抗蚀剂组合物，该组合物还包含含氮有机化合物。10.根据权利要求1的正型抗蚀剂组合物，其用于在形成抗蚀图案的方法内形成正型抗蚀剂薄膜，在该方法中，选择性地曝光在基材上提供的正型抗蚀剂薄膜，使用显影处理以形成抗蚀图案，然后对所述的抗蚀图案进行热流处理，由此使所述的抗蚀图案变窄。11.一种形成抗蚀图案的方法，该方法包含以下步骤使用根据权利要求1的正型抗蚀剂组合物在基材顶部上形成正型抗蚀剂薄膜，对所述的正型抗蚀剂薄膜进行选择性曝光处理，和进行碱性显影以形成所述的抗蚀图案。12.根据权利要求11形成抗蚀图案的方法，其中，对通过进行显影处理形成的所述抗蚀图案进行热流处理，由此使所述的抗蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎晃义，谷和夫，本池直人，前盛论，吉泽佐智子，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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