抛光垫及抛光垫的制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种不易产生划痕且平坦化性能优异的抛光垫。本发明专利技术所涉及的抛光垫，其包括高分子弹性体（２），以及由采用平均剖面积为０．０１μｍ↑［２］至３０μｍ↑［２］的超细单纤维（３）而构成的纤维束（１）所形成的纤维络合体，高分子弹性体的一部分存在于纤维束的内部以使所述超细单纤维集束起来，存在于抛光垫厚度方向剖面上的单位面积的纤维数目为６００束／ｍｍ↑［２］以上，抛光垫空隙以外的部分的体积比率为５５％至９５％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种抛光垫，详细地说，涉及用于抛光半导体晶片、半 导体元件、硅晶片、硬盘、玻璃基板、光学产品或者各种金属等的抛光 垫及其制造方法。
技术介绍
近年来，随着集成电路的高集成化及多层布线化，要求形成有集成 电路的半导体晶片具有高精度的平坦性。作为用于抛光半导体晶片的抛光法，已知的是化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP ) 。 CMP是一边滴下颗粒性浆谇牛 一边利用抛光垫来抛光纟皮抛光基材表面的方法。下述专利文献1至4公开了由高分子发泡体构成的用于CMP的抛 光垫，该高分子发泡体是通过将双液硬化型聚氨酯(polyurethane )发泡 成形而制成并具备独立气泡结构。此类抛光垫与后述的无纺布抛光垫相 比刚性较强，因而用于要求高精度的平坦性的半导体晶片的抛光等比较 理想。由具备独立气泡结构的高分子发泡体构成的抛光垫，例如是通过将 双液硬化型聚氨酯铸沖莫发泡成形而制成。此类抛光垫因具有相对较高的 刚性，所以在抛光时容易选才奪性地对^皮抛光基材的凸部施加负荷，结果 导致抛光速率(抛光速度)变得相对较高。但是，如果抛光面上存在团 聚的磨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光垫，其特征在于包括：　纤维络合体与高分子弹性体，其中，　所述纤维络合体由采用平均剖面积为０．０１μｍ↑［２］至３０μｍ↑［２］的超细单纤维而构成的纤维束形成，　所述高分子弹性体的一部分存在于所述纤维束的内部以使所述 超细单纤维集束起来，　存在于厚度方向剖面上的单位面积的纤维束数目为６００束／ｍｍ↑［２］以上，　空隙以外的部分的体积比率为５５％至９５％。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中山公男，高冈信夫，加藤充，菊池博文，田中次郎，
申请(专利权)人：可乐丽股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]