三氯氢硅合成生产中添加四氯化硅的装置制造方法及图纸

技术编号:4351851 阅读:305 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了三氯氢硅合成生产中添加四氯化硅的装置,其特征在于:包括依次连接的四氯化硅贮槽、磁力泵、四氯化硅高位槽、四氯化硅气化罐、流量计、混合器、二氧化硅分离器、三氯氢硅合成炉及稳压装置构成,四氯化硅高位槽、四氯化硅气化罐、二氧化硅分离器的上部均连接有通氮气的管道;四氯化硅高位槽和四氯化硅气化罐之间设置有连通的平衡管,混合器还连接有通氯化氢的管道;采用本装置可以在三氯氢硅合成生产中添加四氯化硅的装置,通过在三氯氢硅合成炉内加入四氯化硅以达提高三氯氢硅的转化率,以达到提高三氯氢硅的产量。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于三氯氢硅合成生产装置,特别是一种在三氯氢硅合成生产中添加 四氯化硅的装置。
技术介绍
三氯氢硅生产过程中,三氯氢硅合成生产是三氯氢硅整个生产的关键环节。在三 氯氢硅合成生产中,工艺为将硅抽入硅粉干燥器,在干燥器内将硅粉预热并通少量热氮气 除水,将热硅粉投入三氯氢硅合成炉后取用电阻式或电磁式外加热器将硅粉加热到320°C 左右后,通过氯化氢,氯化氢在高温下与金属硅粉反应生成三氯氢硅和四氯化硅的混合气 体,反应方程式为 2Si+HCL = = = = = = HSiCL3+SiCL4+3H2, 2HSiCL3 = = SiCl4+2HCl ;在一 定条件下三氯氢硅会分解产生四氯化硅,为提高三氯氢硅的转化率,一种方法是降低反应 温度,另一种方法是加入四氯化硅进三氯氢硅反应炉,使三氯氢硅炉子内的四氯化硅浓度 控制在一定水平,抑制四氯化硅的生成。传统的三氯氢硅合成生产工艺中没有在氯化氢中添加四氯化硅的装置,没有用四 氯化硅去除氯化氯中的微量水份,水对系统有一定腐蚀,喷嘴坏得快,另一方面在得到的粗 品三氯氢硅纯度要低一些,比加四氯化硅进氯化氢系统除水抑制四氯化硅生成要低1 2 % ο本文档来自技高网...

【技术保护点】
三氯氢硅合成生产中添加四氯化硅的装置,其特征在于:包括依次连接的四氯化硅贮槽(1)、磁力泵(2)、四氯化硅高位槽(3)、四氯化硅气化罐(4)、流量计(5)、混合器(6)、二氧化硅分离器(7)、三氯氢硅合成炉(8)及稳压装置构成,四氯化硅高位槽(3)、四氯化硅气化罐(4)、二氧化硅分离器(7)的上部均连接有通氮气的管道(8);四氯化硅高位槽(3)和四氯化硅气化罐(4)之间设置有连通的平衡管(9),混合器(6)还连接有通氯化氢的管道(10)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:梁进
申请(专利权)人:乐山永祥硅业有限公司
类型:实用新型
国别省市:51[中国|四川]

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