【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种液晶显示器阵列基板的制造方法，尤其是涉及一种能够 降低过度蚀刻程度的液晶显示器阵列基板的制造方法。
技术介绍
液晶显示器阵列基板利用光刻工艺制造。由于光刻工艺需要使用造价非 常昂贵的掩膜板，随着液晶显示器制造工艺的进一步发展，如何减少掩膜板 的使用数量，已成为业内降低成本，提高竞争力的关键所在。 现有技术中提出了很多种方法，达到减少掩膜板使用数量的目的。例如， 公开了一种利用一个双调掩膜板(dual-tone mask)，形成透明电极(ITO、 IZO等)、源电极、漏电极及薄膜晶体管(TFT)沟道的方法。这种方法可以 利用于扭曲向列型(TN)液晶显示器和边缘电场切换型(FFS)液晶显示器等 的阵列基板的制造工艺中。 现有的四次光刻工艺制造TN型液晶显示器的阵列基板的方法如下： 步骤1、沉积栅金属层，通过第一次光刻工艺利用第一掩膜板形成栅线， 按需要也可以突出形成与栅线一体的栅电极； 步骤2、在完成步骤1的基板上，沉积栅绝缘层、有源层(半导体层和 掺杂半...
【技术保护点】
一种液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括： 步骤１、提供依次形成有栅线、栅绝缘层及有源层图形的基板； 步骤２、在完成步骤１的基板上依次沉积第一透明导电层及源漏金属层； 步骤３、在所述源漏金属层上部，通过三调掩膜板形成感光层； 步骤４、湿法蚀刻所述感光层暴露出的源漏金属层及第一透明导电层； 步骤５、对所述感光层进行第一次灰化工艺，对暴露出的源漏金属层、第一透明导电层及有源层图形进行干法蚀刻； 步骤６、对所述感光层进行第二次灰化工艺，对暴露出的源漏金属层进行湿法蚀刻； 步骤７、去掉剩余的感光层。
【技术特征摘要】
1、一种液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括： 步骤1、提供依次形成有栅线、栅绝缘层及有源层图形的基板； 步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积第一透明导电层及源漏金属层； 步骤3、在所述源漏金属层上部，通过三调掩膜板形成感光层； 步骤4、湿法蚀刻所述感光层暴露出的源漏金属层及第一透明导电层； 步骤5、对所述感光层进行第一次灰化工艺，对暴露出的源漏金属层、 第一透明导电层及有源层图形进行干法蚀刻； 步骤6、对所述感光层进行第二次灰化工艺，对暴露出的源漏金属层进 行湿法蚀刻； 步骤7、去掉剩余的感光层。 2、根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于， 所述通过三调掩膜板形成的感光层，其在经所述步骤5中的第一次灰化工艺 暴露出的区域的厚度薄于经所述步骤6中的第二次灰化工艺暴露出的区域的 厚度，且在经所述步骤6中的所述第二次灰化工艺暴露出的区域的厚度薄于 所述步骤7中剩余的区域的厚度。 3、根据权利要求2所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于 还包括： 步骤8、在完成步骤7的基板上沉积绝缘层，通过光刻工艺形成钝化层 图形及过孔。 4、根据权利要求3所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于， 还包括： 步骤9、在完成步骤8的基板上沉积第二透明导电层，通过光刻工艺形 成公共电极。 5、根据权利要求2所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于， 还包括： -->步骤10、在完成步骤7的基板上，依次沉积绝缘层和第二透明导电层， 通过光刻工艺形成钝化层图形及过孔，并通过离地剥离工艺在钝化层图形的 上部形成公共电极。 6、一种液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括： 步骤11、提供在TFT区域上具有第一金属层、第一绝缘层、半导体层及 掺杂半导体层的基板，且该基板被所述第一绝缘层覆盖，所述基板包...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔承镇，宋泳锡，刘圣烈，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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