高频科尔皮兹电路制造技术

提供一种即使在高频中也能够实现稳定的振荡、能够减小电路规模的高频科尔皮兹电路。该高频科尔皮兹电路除了振荡用的晶体管（Ｑ１）之外，还设有反馈用的晶体管（Ｑ２），晶体管（Ｑ１）的集电极连接在晶体管（Ｑ２）的基极上，晶体管（Ｑ２）的集电极经由电阻（Ｒ５）被施加电源电压，并且连接在输出端子上，该集电极经由反馈电阻（Ｒｆ）连接在晶体管（Ｑ１）的基极上，在该基极上连接晶体振子、串联连接的电容器（Ｃ１）和电容器（Ｃ２）的一端，另一端接地，在晶体管（Ｑ１）的发射极上连接有电容器（Ｃ１）和电容器（Ｃ２）之间的点，并且经由电阻（Ｒ４）接地。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高频科尔皮兹(Colpitts)电路，特别是涉及确保高频的负电阻 且实现电路的稳定化的高频科尔皮兹电路。
技术介绍
[现有的科尔皮兹电路图6] 参照图6说明现有的科尔皮兹电路。图6是现有的科尔皮兹电路的结构图。 如图6所示，现有的科尔皮兹电路具备连接有晶体振子的端子(Port Pl)、以及对 晶体振子的振荡频率进行放大的晶体管Ql，在晶体管Ql的基极上连接有上述端子，在晶体 管Q1的集电极上经由电阻R3施加有电源电压(VDC)，而且电源电压经由电阻R1连接在基 极上，并且基极经由电阻R2接地。 另外，晶体管Ql的发射极经由电阻R4接地，另外基极经由串联串接的电容器Cl 和电容器C2接地，电容器Cl和电容器C2之间的点连接在发射极上。并且，设有从集电极 输出被放大的振荡频率的输出端子。 另外，在图7中示出图6中的科尔皮兹电路中的负电阻特性。图7是表示现有的 科尔皮兹电路的负电阻特性的图。在图7中，横轴表示频率的值，纵轴表示负电阻的值。 在图7中，负电阻在200MHz以上被实现。 此外，作为相关联的现有技术，有日本特开2007-116487 高周波- ^ t° 〃 '7発振 回路(高频科尔皮兹振荡电路)(申请人工W >卜3 - A株式会社)(专利文献1)。 在专利文献1中，具备科尔皮兹振荡电路和集电极接地放大电路，将科尔皮兹振 荡电路的输出端子与集电极接地放大电路的输入端子相连接，将集电极接地放大电路的输 出反馈连接到科尔皮兹振荡电路上。 另外，作为其它现有技术，有日本特开2004-266583 压電発振器(压电振荡 器)(申请人東洋通信機株式会社)(专利文献2)。 在专利文献2中示出了如下结构在科尔皮兹型压电振荡器中，将来自晶体管的发射极的信号反馈到基极，并且在发射极侧设有控制负电阻的谐振电路。 另外，作为其它现有技术，有日本特开2004-304667 压電発振器(压电振荡器)(申请人東洋通信機株式会社)(专利文献3)。 在专利文献3中示出了如下结构在科尔皮兹型压电振荡器中，将来自FET晶体管 TR2的源极的信号反馈到振荡用晶体管TR1的基极，在FET晶体管的漏极侧设有控制振荡频 率的并联调谐电路。 专利文献1 :日本特开2007-116487号公报 专利文献2 :日本特开2004-266583号公报 专利文献3 :日本特开2004-304667号公报 制月蒲雄i果题 然而，在上述现有的科尔皮兹电路中，为了确保高频的负电阻，必须使图6中的电容器C1、C2的电容值变小，但是如果过小，则变得容易受到图案(pattern)的影响、外部条 件的影响，存在作为电路不够稳定的问题点。 此外，在上述现有的科尔皮兹电路中，认为稳定振荡的频率的界限值为200MHz 300MHz。 另外，在专利文献1 3中，没有构成为将来自反馈电路的晶体管的集电极的信号 经由反馈电阻反馈到振荡用的晶体管的基极，没有考虑到使电路对应于高频并进一步减小 电路规模的情形。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供一种在高频中也能够实现稳定的振荡、能够减小电路规模的高频科尔皮兹电路。 肝碰i果题解肖 用于解决上述现有例子的问题点的本专利技术是在高频中实现振荡的高频科尔皮兹 电路，其特征在于，设有对来自晶体振子的振荡频率信号进行放大的振荡用晶体管、以及将 振荡用晶体管的集电极连接到基极上的反馈用晶体管，在振荡用晶体管的集电极上经由第 一电阻被施加电源电压，在振荡用晶体管的基极上连接由串联连接的第一电容器和第二电 容器的一端，串联连接的第一电容器和第二电容器的另一端接地，振荡用晶体管的发射极 连接有第一电容器和第二电容器之间的点，并且经由第二电阻接地，反馈用晶体管的集电 极经由第三电阻被施加电源电压，并且连接在输出端子上，该集电极经由反馈电阻连接在 振荡用晶体管的基极上。 本专利技术的特征在于，在上述高频科尔皮兹电路中，代替第二电容器而设有并联连 接的第二电容器和线圈的谐振电路。 本专利技术的特征在于，在上述高频科尔皮兹电路中，在振荡用晶体管的发射极上连 接有第一电容器和第二电容器之间的点，并且代替连接第二电阻，线圈与并联连接的第二 电阻及第三电容器被串联连接，该并联连接的另一端接地，由线圈和第二电容器构成谐振 电路。 本专利技术的特征在于，在上述高频科尔皮兹电路中，由谐振电路来控制谐振频率。 本专利技术的特征在于，在上述高频科尔皮兹电路中，将反馈电阻的电阻值设定得比 第一电阻以及第三电阻的电阻值大。 本专利技术的特征在于，在上述高频科尔皮兹电路中，将构成电路的元件进行了 IC 化。 专利技术的效果 根据本专利技术，在高频科尔皮兹电路中，设有对来自晶体振子的振荡频率信号进行 放大的振荡用晶体管、以及将振荡用晶体管的集电极连接到基极上的反馈用晶体管，在振 荡用晶体管的集电极上经由第一电阻被施加电源电压，在振荡用晶体管的基极上连接有串 联连接的第一电容器和第二电容器的一端，串联连接的第一电容器和第二电容器的另一端 接地，振荡用晶体管的发射极连接有第一电容器和第二电容器之间的点，并且经由第二电 阻接地，反馈用晶体管的集电极经由第三电阻被施加电源电压，并且连接在输出端子上，该 集电极经由反馈电阻连接在振荡用晶体管的基极上，因此，该高频科尔皮兹电路具有即使4在高频中也能够实现稳定的振荡、能够减小电路规模的效果。 此外，也可以替代第二电容器而设有并联连接的第二电容器和线圈的谐振电路。 根据本专利技术，在上述高频科尔皮兹电路中，在振荡用晶体管的发射极上连接有第 一电容器和第二电容器之间的点，并且代替连接第二电阻，线圈与并联连接的第二电阻及 第三电容器被串联连接，该并联连接的另一端接地，由线圈和第二电容器构成谐振电路，因 此，该高频科尔皮兹电路具有能够容易地确保高频中的负电阻的效果。 根据本专利技术，在上述高频科尔皮兹电路中通过谐振电路来控制谐振频率，因此具 有能够容易地控制负电阻特性的效果。附图说明 图1是与本专利技术的实施方式有关的高频科尔皮兹电路的结构图。 图2是表示本电路(第一实施方式)的负电阻特性的图。 图3是与另一实施方式有关的科尔皮兹电路的结构图。 图4是表示另一电路的负电阻特性(1)的图。 图5是表示另一电路的负电阻特性(2)的图。 图6是现有的科尔皮兹电路的结构图。 图7是表示现有的科尔皮兹电路的负电阻特性的图。 附图标记说明 Ql :晶体管；Q2 :晶体管；Rf :反馈电阻;R1 、R2、R3、R4、R5、R6、R7 :电阻；C1、C2、C3、C4、C5 :电容器；L1 :线圈。具体实施例方式参照附图说明本专利技术的实施方式。 [实施方式的概要] 在与本专利技术的实施方式有关的高频科尔皮兹电路中，在振荡用晶体管Q1的集电 极上经由第一电阻(R3)被施加电源电压，在振荡用晶体管Q1的基极上连接有晶体振子，并 且连接有串联连接的第一电容器(Cl)和第二电容器(C2)的一端，串联连接的第一电容器 (Cl)和第二电容器(C2)的另一端接地，振荡用晶体管Q1的发射极连接有第一电容器(Cl) 和第二电容器(C2)之间的点，并且经由第二电阻(R4)接地，设有将振荡用晶体管Q1的集 电极连接到基极的反馈用晶体管Q2，反馈用晶体管Q2的集电极经由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频科尔皮兹电路，在高频中实现振荡，其特征在于，设有对来自晶体振子的振荡频率信号进行放大的振荡用晶体管、以及上述振荡用晶体管的集电极被连接于基极的反馈用晶体管，在上述振荡用晶体管的集电极上经由第一电阻被施加电源电压，在上述振荡用晶体管的基极上连接有串联连接的第一电容器和第二电容器的一端，串联连接的第一电容器和第二电容器的另一端接地，在上述振荡用晶体管的发射极上连接有上述第一电容器和上述第二电容器之间的点，并且经由第二电阻接地，上述反馈用晶体管的集电极经由第三电阻被施加电源电压，并且连接到输出端子上，该集电极经由反馈电阻连接在上述振荡用晶体管的基极上。

【技术特征摘要】
JP 2008-12-24 2008-327023一种高频科尔皮兹电路，在高频中实现振荡，其特征在于，设有对来自晶体振子的振荡频率信号进行放大的振荡用晶体管、以及上述振荡用晶体管的集电极被连接于基极的反馈用晶体管，在上述振荡用晶体管的集电极上经由第一电阻被施加电源电压，在上述振荡用晶体管的基极上连接有串联连接的第一电容器和第二电容器的一端，串联连接的第一电容器和第二电容器的另一端接地，在上述振荡用晶体管的发射极上连接有上述第一电容器和上述第二电容器之间的点，并且经由第二电阻接地，上述反馈用晶体管的集电极经由第三电阻被施加电源电压，并且连接到输出端子上，该集电极经由反馈电阻连接在上述振荡用晶体管的基极上。2. 根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本隆司，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]