液晶显示设备的阵列基板及其制造方法技术

一种液晶显示设备的阵列基板，包括在基板上沿第一方向的栅极线；与所述栅极线交叉以限定像素区域的数据线；修复图案，其具有在所述数据线两端的岛形并与所述栅极线隔开第一距离，所述修复图案被设置成对应于所述栅极线和所述数据线的交叉部分；在所述像素区域中并与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；和在所述像素区域中并与所述薄膜晶体管连接的像素电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示设备，且更为具体地说涉及一种具有修复图案 的液晶显示(LCD)设备的阵列基板和制造该阵列基板的方法。
技术介绍
现有的液晶显示(LCD)设备使用液晶分子的光学各向异性和偏振特性。 作为它们的细且长的形状的结果，液晶分子具有明确的取向方向。可通过在 液晶分子两端施加电场来控制液晶分子的取向方向。换句话说，当电场的强 度或方向变化时，液晶分子的取向也变化。因为由于液晶分子的光学各向异 性，入射光根据液晶分子的取向而折射，所以可通过控制光透射率显示图像。LCD设备包括其中形成公共电极的上基板、其中形成像素电极的下基板 和夹在它们之间的液晶层。上基板和下基板分别被^^作滤色器基板和阵列基 板。通过在公共电极和像素电极之间引起的垂直电场驱动液晶层，从而LCD 设备的光透射率和孔径比极好。因为包括薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的被称作有源矩阵LCD (AM-LCD)设备的LCD设备具有较高的分辨率和显示移动图像的极好特 性，所以已经广泛使用AM-LCD设备。图1是现有技术的LCD设备的分解透视图。LCD设备包括第一和第二 基板12和22以及液晶层30。第一和第二基板12和22彼此面对，且液晶层 30夹在它们之间。第一基板12包括栅极线14、数据线16、 TFT Tr和像素电极18。包 括这些元件的第一基板12被称作阵列基板10。栅极线14和数据线16彼此 交叉，从而在栅极线和数据线14和16之间形成一区域，且将该区域定义为像素区域P。 TFT Tr形成在栅极线和数据线14和16之间的交叉部分 处，且像素电极18形成在像素区域P中并与TFT Tr相连接。第二基板22包括黑色矩阵25、滤色器层26和公共电极28。包括这些 元件的第二基板22被称作滤色器基板20。黑色矩阵25具有覆盖第一基板 12的非显示区域，如栅极线14、数据线16和TFT Tr的栅格形状。滤色 器层26包括第一、第二和第三子滤色器26a， 26b和26c。子滤色器26a， 26b和26c中的每个都具有红色、绿色和蓝色R， G和B中的一个并与每个 像素区域P相对应。公共电极28形成在黑色矩阵25和滤色器层26上并 覆盖第二基板22的整个表面。尽管没有示出，但为了防止液晶层30泄漏，沿第一和第二基板12和22 的边缘形成密封图案。在第一基板12与液晶层30之间以及在第二基板22 与液晶层30之间形成第一和第二取向层。在第一和第二基板12和22的外 表面上形成偏振器。LCD设备包括与第一基板12的外表面相对以向液晶层30提供光的背光 组件。当向栅极线14施加扫描信号以控制TFT Tr时，将数据信号通过 数据线16施加到像素电极18，从而在像素电极和公共电极18和28之间产 生电场。然后，该电场使液晶导通，结果，LCD设备使用来自背光组件的光 产生图像。图2是现有技术的LCD设备的阵列基板的一部分的平面图。在图2中， 在阵列基板10上形成多条栅极线14。每条栅极线14彼此隔开。尽管没有示 出，但在栅极线14的一端处形成用于连接到外部驱动电路基板的栅极焊盘。在阵列基板10上形成与栅极线14交叉以限定像素区域P的数据线16。 在数据线16的一端处形成用于连接到外部驱动电路基板(没有示出)的栅 极焊盘(没有示出)。在栅极线和数据线14和16的交叉部分处形成包括栅极电极15、半导体 层40、源极电极43和漏极电极47的薄膜晶体管(TFT) Tr。在每个像素区 域P中形成像素电极18。像素电极18与TFTTr连接。像素电极18与栅极 线14重叠，从而形成存储电容器StgC以保持当前电压直到施加下一信号到 像素电极18中。通过四个或五个掩模处理形成上述阵列基板10。例如，每个掩模处理都包括在材料层上形成光致抗蚀剂(PR)层的步骤、使用掩模曝光PR层的步骤、显影PR层以形成PR图案的歩骤、使用PR图案作为蚀刻掩模蚀刻所述 材料层的步骤以及剥离PR图案的歩骤。结果，通过至少二十五个步骤获得 阵列基板IO。在这些步骤期间，当金属颗粒附着到栅极线14、数据线16或 TFTTr时，由于静电或金属颗粒，存在电短路或电断路的问题。结果，将电 压连续输入到像素电极18中或者没有电压输入到像素电极18中。就是说， 不能控制像素电极18的开或关状态。当在栅极线14或数据线16中存在这 些问题时，沿相应栅极线14或数据线16的所有像素区域P总是具有开或关 状态。根据它们的尺寸和分辨率，LCD设备具有几万到几百万个像素区域。当 在所有这些像素区域中都要求具有理想的条件时，具有大量的损失成本。因 此，容忍(吸收)LCD设备中的一些缺陷像素。然而，当在栅极线和数据线 14和16的交叉部分处产生电短路问题时，在与相应的栅极线和数据线14 和16连接的所有像素区域中存在亮点或暗点问题，从而LCD设备是不可用 的。这可被称作线缺陷。另一方面，当在一个或几个像素中具有缺陷时，LCD 设备是可用的。这被称作点缺陷。近来，为了满足改进高质量显示图像的要求，在缺陷像素中进行修复处 理。就是说，在具有点缺陷的LCD设备中要求修复处理。更具体地说，在 没有施加电压期间显示白色图像并在施加最大电压期间显示黑色图像的正 常白色模式LCD设备中，因为总是显示白色图像的缺陷像素显著突出，所 以需要用于将缺陷像素变为总是显示黑色图像的像素的修复处理。就是说， 需要将白色缺陷像素变为黑色缺陷像素。需要将缺陷像素变为总是显示黑色 图像的像素的修复处理的原因是，白色像素在黑色基底中更加突出。因此， 通过将白色缺陷像素修复为黑色缺陷像素而不修复黑色缺陷像素，可提供可 用的LCD设备。图3是显示现有技术的用于LCD设备的阵列基板的修复处理的平面图。 在图3中，当在正常白色模式LCD设备的阵列基板的像素区域P中具有白 色缺陷时，通过将激光照射到切割线CL上而将TFTTr与像素电极18断开， 且通过将激光照射到连接部分CP上而将与栅极线14的一部分重叠的像素电 极18的一部分电连接到所述栅极线14的一部分，从而将电压连续施加到像素区域P中的像素电极18。结果，像素区域P具有黑色缺陷状态。另一方面，当在正常黑色模式LCD设备的阵列基板的像素区域中具有白色缺陷时，通过将激光照射到切割线CL上而将TFT与像素电极断开且不 将像素电极连接到栅极线，从而没有电压施加到像素区域中的像素电极。结 果，像素区域P具有黑色缺陷状态。然而，上面的修复处理对于点缺陷是可用的，但不可用于线缺陷。因此， 不能修复具有线缺陷的LCD设备，从而降低了生产率，且增加了损失成本 和生产成本。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种阵列基板及其制造方法，其基本上克服了由于现 有技术的限制和缺点所导致的一个或多个问题。在下面的描述中将部分列出本专利技术的其它特征和优点，且一部分从下面 的描述将变得显而易见，或者可从本专利技术的实践领会到。通过所写说明书及 其权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本专利技术的目的和其它 优点。为了获得这些和其它的优点，根据本专利技术的目的，如这里具体表示和广义地描述的，液晶显示设备的阵列基板包括在基板上沿第一方向的栅极线； 与所述栅极线交叉以限定像素区域的数据线；修复图案，其具有在所述数据 线两端的岛形并与所述栅极线隔开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示设备的阵列基板，包括：　在基板上沿第一方向的栅极线；　与所述栅极线交叉以限定像素区域的数据线；　修复图案，其具有在所述数据线两端的岛形并与所述栅极线隔开第一距离，所述修复图案被设置成对应于所述栅极线和所述数据线的交叉部分；　在所述像素区域中并与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；和　在所述像素区域中并与所述薄膜晶体管连接的像素电极。

【技术特征摘要】
KR 2008-4-24 10-2008-00381951.一种液晶显示设备的阵列基板，包括在基板上沿第一方向的栅极线；与所述栅极线交叉以限定像素区域的数据线；修复图案，其具有在所述数据线两端的岛形并与所述栅极线隔开第一距离，所述修复图案被设置成对应于所述栅极线和所述数据线的交叉部分；在所述像素区域中并与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；和在所述像素区域中并与所述薄膜晶体管连接的像素电极。2. 根据权利要求1所述的基板，其中，所述修复图案形成在与所述栅 极线相同的层上并由与所述栅极线相同的材料形成。3. 根据权利要求2所述的基板，进一歩包括沿所述第一方向的存储线 和沿所述数据线从所述存储线延伸的存储图案，其中所述存储线和所述存储 图案的每一个都形成在与所述栅极线相同的层上并由与所述栅极线相同的 材料形成，并且所述存储线和所述存储图案的每一个都被设置在所述像素区 域中。4. 根据权利要求3所述的基板，其中，所述修复图案与所述存储图案 的端部隔开大约3微米到大约5微米的第二距离。5. 根据权利要求3所述的基板，其中，所述像素电极与所述存储线和 所述存储图案的每一个重叠，从而形成在所述像素电极与所述存储线和所述 存储图案的每一个之间的具有绝缘层的存储电容器。6. 根据权利要求1所述的基板，其中，当在所述栅极线和所述数据线 之间产生电短路时，在所述栅极线和所述数据线的其中产生电短路的交叉部 分两侧处的栅极线的部分与所述交叉部分电气地断开。7. 根据权利要求6所述的基板，进一步包括 暴露栅极线的所述部分的第一沟槽； 暴露所述修复图案的两端的第二沟槽； 在所述第一沟槽中的金属材料的第一接触图案； 在所述第二沟槽中的金属材料的第二接触图案；和 连接所述第一接触图案和所述第二接触图案的金属材料的连接图案。8. 根据权利要求7所述的基板，其中，所述像素电极沿所述连接图案的周边具有中断部分，从而所述像素电极的--部分与所述像素电极的其他部 分电气地隔离。9. 根据权利要求8所述的基板，其中，与所述栅极线和所述数据线的 其中产生电短路的交叉部分连接的所述薄膜晶体管的漏极电极具有中断部 分，从而与所述像素连接的像素电极与所述薄膜晶体管电气地隔离。10. 根据权利要求6所述的基板，其中，所述修复图案的每一端与所述 栅极线连接。11. 根据权利要求IO所述的基板，其中，所述修复图案从所述栅极线 延伸，从而所述栅极线具有两路通道。12. 根据权利要求1所述的基板，其中，所述第一距离为大约3微米到 大约5微米。13. —种液晶显示设备的阵列基板，包括 在基板上沿第一方向的栅极线；与所述栅极线交叉以限定以矩阵形状布置的第一到第四像素区域的数 据线，所述矩阵形状被所述栅极线划分为第一和第二行，并被所述数据线划 分为第一和第二列；修复图案，其具有在所述数据线两端的岛形并与所述栅极线隔开，所述 修复图案在所述第二行第一列的第三像素区域和第二行第二列的第四像素 区域上延伸；在所述第一行第二列的第二像素区域中并与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管；和在所述第二像素区域中并与所述薄膜晶体管连接的像素电极， 其中当在所述栅极线和所述数据线的交叉部分处产生电短路时，所述栅极线的第一部分与所述交叉部分电气地断开，所述栅极线的第一部分分别对应于所述交叉部分的两侧，且所述修复图案的两端与所述栅极线的第二部分电连接，每个所述第二部分对应于所述第一部分的外侧。14. 根据权利要求13所述的基板，其中，所述第三和第四像素区域的 每一个中的像素电极的一部分与所述第三和第四像素区域的每一个中的所 述像素电极的另一部分电气地断开。15...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相浃，李镇石，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]