太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能级６寸单晶硅片切割工艺方法，具体包括粘棒工艺：首先清洁单晶硅棒粘接面，然后用胶水分别粘接定位条和玻璃、玻璃和单晶硅棒，粘棒之后要进行压棒，压好后继续粘接下一套棒；配浆工艺：ａ．配浆之前要把所需配的碳化硅微粉放入烘箱烘烤，温度设定在７０～８０℃，在配浆前取出冷却；ｂ．配置浆料的时候，将碳化硅微粉慢慢倒入砂浆搅拌桶，一般控制在３ｍｉｎ左右一袋，并充分搅拌均匀；线切割工艺：镀铜切割线的直径为０．１ｍｍ，并且线速度在９．３～１０．５ｍ／ｓ，工件的进给速度不超过０．３ｍｍ／ｓ，砂浆的流量不超过３１００Ｌ／ｈ。本工艺可以使切割硅片中心厚度达到１８０ｍｍ，每公斤出片率可以提高到７８．４片／ｋｇ，如采用传统切割方法，出片率最高达到７５．９片／ｋｇ，采用本工艺方法后出片率将提高３．３％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于 太阳能电池领域。
技术介绍
目前太阳能级电池硅片是将方形单晶硅棒切割成薄片而成，国内 的硅晶材料稀缺、价格昂贵，随着可再生能源的广泛应用，太阳能级 硅片的市场需求量越来越大。所以如何提高单位质量硅材料的出品率、 降低切割、磨削等过程的损耗，降低次品率、提高硅材料利用率，成 为整个单晶硅加工行业的发展方向。本专利技术就是经过多年的探索，研 发出 一 套加工单晶硅片的切割工艺，实现每公斤出片率从传统切割工 艺方法的75.9片/千克到本工艺方法的78.4片/千克，提高出片率3.3%, 可以为企业创造更大的经济价值，并减小了不可再生能源的浪费问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种太阳能级6寸单晶硅片切 割工艺方法，生产出出品率高、降低制造过程中的材料损耗的太阳能级6 寸单晶硅片。本专利技术提供一种，具体包 括粘棒工艺、配浆工艺、线切割工艺粘棒工艺首先清洁单晶硅棒粘接面，然后用胶水分别粘接定位 条和玻璃、玻璃和单晶硅棒，粘棒之后要进行压棒，压好后继续粘接 下一套棒；配浆工艺a、配浆纸钱要把所需配的碳化硅微粉放入烘箱内至少 8个小时，温度设定在7t本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能级６寸单晶硅片切割工艺方法，具体包括粘棒工艺、配浆工艺、线切割工艺：　粘棒工艺：首先清洁单晶硅棒粘接面，然后用胶水分别粘接定位条和玻璃、玻璃和单晶硅棒，粘棒之后要进行压棒，压好后继续粘接下一套棒；　配浆工艺：ａ、配浆之 前要把所需配的碳化硅微粉放入烘箱内至少８个小时，温度设定在７０～８０℃，至少在配浆前１小时取出冷却；　ｂ、配置浆料的时候，将碳化硅微粉慢慢倒入砂浆搅拌桶并充分搅拌均匀；　线切割工艺：镀铜切割线的直径为０．１ｍｍ，并且线速度在９． ３～１０．５ｍ／ｓ，工件的进给速度不超过０．３ｍｍ／ｓ，砂浆的流量不超过３１００Ｌ／ｈ。

【技术特征摘要】
1、一种太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方法，具体包括粘棒工艺、配浆工艺、线切割工艺粘棒工艺首先清洁单晶硅棒粘接面，然后用胶水分别粘接定位条和玻璃、玻璃和单晶硅棒，粘棒之后要进行压棒，压好后继续粘接下一套棒；配浆工艺a、配浆之前要把所需配的碳化硅微粉放入烘箱内至少8个小时，温度设定在70～80℃，至少在配浆前1小时取出冷却；b、配置浆料的时候，将碳化硅微粉慢慢倒入砂浆搅拌桶并充分搅拌均匀；线切割工艺镀铜切割线的直径为0.1mm，并且线速度在9.3～10.5m/s，工件的进给速度不超过0.3mm/s，砂浆的流量不超过3100L/h。2、 根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺方 法，其特征在于，所述粘棒工艺中，胶水按照1: l的比例进行 调配，并且调胶的速度不超过3分钟。3 、根据权利要求1所述的太阳能级6寸单晶硅片切割工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈旸，孔立新，周康，
申请(专利权)人：江苏海尚新能源材料有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]