【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种偏压式等离子源,尤指一种可旋转的偏压式等离 子源,本技术亦关于包含此偏压式等离子源的等离子处理机构。
技术介绍
随着高科技产业的快速发展,等离子技术一直以来受到各界广泛的重 视及应用,特别是在半导体元件工艺上的产品提升有着举足轻重的地位。 同时在环保意识抬头下,等离子技术取代传统的湿式工艺更受到重视。随着半导体元件密度提高、线宽不断的縮小,元件的功能更快速提升。为了确保高的元件可靠度及把制造成本降到最低,将打线接合(wire bonding)工艺最佳化以获得良好的结合强度与良率是很重要的。不良的结 合强度与低良率时常来自于上游污染源或先进构装中材料的选用不佳。在 打线工艺之前,气体等离子技术可以用来清洁芯片接点以改善结合强度及 良率。同时为了防止水气及氧气渗透到元件内,在元件封装前必需将元件 表面做彻底的清洁,以防止封装树脂与元件粘合不佳造成水气、氧气的渗 透,同时可增加打线的拉力值及使得粘合的胶更平均的分布。等离子清洁器则成为一高效能清洁装置的较佳选择。其被用来清洁基 材的表面,如集成电路硅芯片(Silicon Wafer)及芯片封装用基板(BG ...
【技术保护点】
一种偏压式等离子源,其特征在于包括: 一支撑体; 一电极盘,系配置于该支撑体上方; 一旋转连接器,系配置于该支撑体下方;以及 一导线,系将该旋转连接器以及该电极盘电性连接。
【技术特征摘要】
1、一种偏压式等离子源,其特征在于包括一支撑体;一电极盘,系配置于该支撑体上方;一旋转连接器,系配置于该支撑体下方;以及一导线,系将该旋转连接器以及该电极盘电性连接。2、 如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,包括一绝缘体,配置于该电极盘与该支撑体之间。3、 如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,该旋转连接 器为一水银接头。4、 如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,该旋转连接 器内还具有一冷却室、 一进气口、以及一排气口。5、 如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,还包括一挡 板,且该挡板配置于该电极盘下方,且挡板的电性为接地电位。6、 如权利要求1所述的偏压式等离子源,其特征在于,还包括一旋 转驱动器,且该旋转驱动器配置于该电极盘下方。7、 如权利要求2所述的偏压式等离子源,其特征在于,该绝缘体的 材质为陶瓷。8、 一种等离子处理机构,其特征在于包括-一反应腔,包括一底板、 一顶板、 一周壁、以及一进...
【专利技术属性】
技术研发人员:林伟德,罗顺远,刘家齐,吕练勤,蔡振源,詹信义,陈照奕,吴祐安,
申请(专利权)人:富临科技工程股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:71
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