整合式等离子体处理机构制造技术

本实用新型专利技术一种整合式等离子体处理机构，其包括：一反应腔、一载盘、以及至少一等离子体源。其中，反应腔包括一底板、一顶板、以及围绕反应腔的一周壁，周壁具有一侧窗以及一进料门，侧窗向外延伸有一侧室，侧室具有一侧壁，且反应腔具有一进气口以及一排气口。并且载盘是配置于底板之上。本实用新型专利技术的整合式等离子体处理机构可同时装配多种等离子体源供应器于其中，加上其独特具有的圆筒型反应腔，能增进工艺气体的良好流场散布，使反应腔内的等离子体分布更为均匀，进而使清洁效果更为提升。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种等离子体处理机构，尤指一种整合式等离子 体处理机构。
技术介绍
随着高科技产业的快速发展，等离子体技术一直以来受到各界广 泛的重视及应用，特别是在半导体元件工艺上的产品提升有着举足轻 重的地位。同时在环保意识加强的情况下，等离子体技术取代传统的 湿式工艺更受到重视。随着半导体元件密度提高、线宽不断的縮小，元件的功能更快速 提升。为了确保元件的可靠度以及把制造成本降到最低，将打线接合(wire bonding)工艺最佳化，以获得良好的结合强度与良率是很重要 的。不良的结合强度与低良率时常来自于上游污染源或先进构装中材 料的选用不佳。在打线工艺之前，气体等离子体技术可以用来清洁芯 片接点以改善结合强度及良率。同时为了防止水气及氧气渗透到元件 内，在元件封装前必需将元件表面做彻底的清洁，以防止封装树脂与 元件粘合不佳造成水气、氧气的渗透，同时可增加打线的拉力值及使 得粘合的胶更平均的分布。在工艺的精密要求下，LED产业工艺中的应用也突显出来。为了确 保蒸镀金属时的良好附着性，氧气等离子体除胶渣工艺(02 plasma descum)也因应而生，利用此技术可有效的提升金属的附本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整合式等离子体处理机构，其特征在于包括：　一反应腔，包括一底板、一顶板、以及围绕该反应腔的一周壁，该周壁具有一侧窗以及一进料门，该侧窗向外延伸有一侧室，该侧室具有一侧壁，且该反应腔具有一进气口以及一排气口；　一载盘，配置于反 应腔的内；以及　至少一等离子体源。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林伟德，罗顺远，刘家齐，杨宏河，
申请(专利权)人：富临科技工程股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]