【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】离子源中的阴极和反阴极装置专利
0001本专利技术涉及适合于离子^A机的离子源，其包括阴极和反阴极。技术背景0002本专利技术的预期应用是在离子注入机中，其可用于半导体器件或 其他材料的加工，也可用于许多其他应用。在这样的应用中，通过将期 望掺杂种类的原子注入到晶片体中以形成改变传导率的区域，半导体晶 片得到改进。普通掺杂剂的例子为硼、磷、砷和锑。0003典型的，离子注入机包括在真空室内在真空下保持的离子源。 离子源使用在弧室内部产生的等离子体制造离子。从弧室中提取等离子 体离子，且以离子雨模式，离子移动从而注入到比如半导体晶片的 目标中。替代地，提取出的离子可通过质量分析台，这样可选择期望质 量和能量的离子向前移动以注入到半导体晶片中。在美国专利第 4,754,200号中可找到关于离子注入机的更详细的描述。0004在典型的Bemas类型源中，在来自阴极的电场影响下，热电子被 发射并加速，且受磁场束缚从而沿螺旋路径朝反阴极行进。弧室中和前 体气体分子的相互作用制造了期望的等离子体。0005在一个已知的装置中，反阴极与阴极连接，由此它们处于共同 的电位(美国专利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 一种用于离子注入机的离子源，其包括弧室，用于产生和包含 等离子体；阴极，用于发射电子到所述弧室中；安置于所述弧室中使得 所述阴极发射的电子被引导到那的电极； 一个或一个以上电压电位源， 其用于偏压所述电极；以及电压电位调节器，其可操作用于在正向偏压 所述电极以作为阳极的电压电位源和负向偏压所述电极以作为反阴极的 电压电位源之间切换。2. 根据权利要求1所述的离子源，进一步包括真空室，并且其中所 述电压电位调节器位于空气中。3. 根据权利要求1或权利要求2所述的离子源，进一步包括另外的 电压电位调节器，其用于在正向偏压弧室壁和负向偏压所述弧室壁之间 切换。4. 根据权利要求3所述的离子源，包括真空室，并且其中所述另外 的电压电位调节器位于空气中。5. 根据权利要求3或权利要求4所述的离子源，进一步与所述电压 偏压调节器一起操作，并且另外的电压电位调节器为至少第一和第二离 子产生模式设置，这样所述电极被正向偏压，且所述弧室壁被负向偏压， 反之亦然。6. 根据权利要求5所述的离子源，进一步用来在第一和第二离子产 生模式之间改变，并且通过依次操作所述电压电位调节器和所述另外的 电压电位调节器支持，这样第一切换是从负向偏压到正向偏压。7. 根据权利要求1到6中任意一项所述的离子源，其中所述电压电 位调节器还用来电隔离所述电极。8. 根据权利要求3或从属于它的任何其他权利要求所述的离子源， 其中所述另外的电压电位调节器还用来电隔离所述弧室壁。9. 根据从属于权利要求5或者6的权利要求7所述的离子源，其中 所述电压电位调节器还用来电隔离所述电极，并且其中所述离子源还用 来与所述电压电位调节器一起操作，而另外的电压电位调节器进一步为 第三离子产生模式设置，使得所述电极被电隔离，而所述弧室壁为正。10. 根据权利要求1到9中任意一项所述的离子源，其中所述电压电 位调节器是用来在正向偏压所述电极的第一位置和负向偏压所述电极的 第二位置之间切换的开关。11. 根据权利要求7到9中任意一项所述的离子源，其中所述电压电 位调节器是在用于正向偏压所述电极的第一位置、用于负向偏压所述电 极的第二位置和用于电隔离所述电极的第三位置之间切换的开关。12. 根据权利要求3或从属于它的任意其他权利要求所述的离子源， 其中所述另...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·D·戈德堡，C·J·S·伯吉斯，A·S·第维尼，D·G·阿默，D·柯克伍德，
申请(专利权)人：应用材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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