荧光体及其制造方法以及发光器具技术

本发明专利技术提供了一种蓝色荧光体，与以往的稀土类激活的赛纶荧光体相比，蓝色的亮度高，发光光谱的半高宽大，比以往的氧化物荧光体的耐久性更好。在含有具有β型Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶体结构、ＡｌＮ晶体结构或者ＡｌＮ多晶型物结构的氮化物或氮氧化物的晶体中，固溶金属元素Ｍ（其中，Ｍ为Ｃｅ），得到通过激发源的照射发出在４５０ｎｍ～５００ｎｍ范围的波长具有峰的荧光的荧光体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有|3型Si3N4晶体结构、A1N晶体结构和/或A1N多型体结 构的荧光体、其制造方法及其用途。具体地说，该用途涉及利用该荧光体所 具有的性质的照明器具及图像显示装置，所述性质是发出在450nm以上、 500nm以下的波长具有发光峰的蓝色荧光的特性。技术背景荧光^#冗于荧光显示管(VFD)、场致发射显示装置(FED)、等离子显 示板(PDP)、阴极射线管(CRT)、白色发光二极管(LED)等。在上述的任 一项用途中，为使荧光体发光，必须向荧光体提供用于激发荧光体的能量， 荧光体被真空紫外线、紫外线、电子射线、蓝色光等具有高能量的激发源激 发，发出可见光。但是，由于荧光体暴露于上述激发源照射之下，结果使得 荧光体的亮度降低、劣化，因而需要没有亮度降低问题的荧光体。为此，有 人提出了用亮度降低较少的赛纶(Sialon)荧光体来代替以往的硅酸盐荧光 体、磷酸盐荧光体、铝酸盐荧光体、硫化物荧光体等荧光体。该赛纶荧光体的一个例子可以采用下述制造工艺来制造。首先，按照规 定的摩尔比将氮化硅(Si3N4)、氮化铝(A1N)、氧化铕(Eu203)混合，在1 个大气压(O.lMP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光体，其特征在于，含有具有β型Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］晶体结构、ＡｌＮ晶体结构或者ＡｌＮ多型体结构的、固溶有Ｃｅ的氮化物或氮氧化物晶体，通过照射激发源而发出在４５０ｎｍ～５００ｎｍ范围的波长具有发光峰的荧光。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-3-22 081572/20051. 一种荧光体，其特征在于，含有具有P型Si3N4晶体结构、A1N晶体 结构或者A1N多型体结构的、固溶有Ce的氮化物或氮氧化物晶体，通过照 射激发源而发出在450nm ~ 500nm范围的波长具有发光峰的荧光。2. 根据权利要求1所述的荧光体，其中，通过照射激发源而发出在 470nrn ~ 490nm范围的波长具有峰的荧光。3. 根据权利要求1或2所述的荧光体，其中，所述激发源是具有100nm 以上、470nm以下波长的紫外线或者可见光。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的荧光体，其中，所述激发源是 380nm ~ 430nm范围的波长的紫光。5. 根据权利要求1 ~ 4中任一项所述的焚光体，其中，具有所述卩型Si3N4 晶体结构的氮化物或氮氧化物，包括卩型赛纶(Si6.zAlzOzN8.z， 0<z<4.2)。6. 根据权利要求1 ~5中任一项所述的荧光体，其中，通过所述激发源 而发出的所述荧光，其上述发光峰的半高宽为80nm以上。7. 根据权利要求1~6中任一项所述的荧光体，其中，所述氮化物或氮 氧化物的晶体由组成式MaAbXc表示，式中，M为Ce， A是选自Si、 Al中的 一种或两种元素，X是选自0、 N中的一种或两种元素，a + b + c= 1,并且 满足下列条件<formula>formula see original document page 2</formula> (1 ) <formula>formula see original document page 2</formula>(2)<formula>formula see original document page 2</formula> (3)。8. 根据权利要求1~7中任一项所述的荧光体，其中，所述氮化物或氮 氧化物的晶体由组成式CedSieAlfOgNh表示，式中，d + e + f+g + h=l,并且 满足下列条件<formula>formula see original document page 2</formula> (4)<formula>formula see original document page 2</formula> (5) <formula>formula see original document page 2</formula> (6)。9. 根据权利要求1 ~8中任一项所述的荧光体，其中，在照射上述激发 源时所发出的光的颜色在C正色度坐标上的(x、 y)值满足0^x^0.3且0S y^0.4的条件。10. 根据权利要求1 ~9中任一项所述的荧光体，其中，所述氮化物或氮 氧化物的晶体含有平均粒径50nm以上、20jim以下的单晶。11. 根据权利要求1 ~ 10中任一项所述的焚光体，其中，所述氮化物或 氮氧化物的晶体中所含有的Fe、 Co、 Ni杂质元素合计为500ppm以下。12. 根据权利要求1~11中任一项所述的荧光体，其中，所述氮化物或 氮氧化物的晶体是作为含有其它结晶体或非晶体化合物的混合物而生成，该 混合物中的所述氮化物或氮氧化物的晶体含量为50质量％以上。13. 根据权利要求12所述的荧光体，其中，所述其他结晶体或非晶体化 合物是导电性无机化合物。14. 根据权利要求13所述的荧光体，其中，所述导电性无机化合物是含 有选自Zn、 Ga、 In、 Sn中的一种或两种以上的元素的氧化物、氮氧化物或 氮化物，或者它们的混合物。15. 权利要求1 14中任一项所述的荧光...

【专利技术属性】
技术研发人员：广崎尚登，
申请(专利权)人：独立行政法人物质材料研究机构，
类型：发明
国别省市：JP[]