提取铁电场效应管栅介质层缺陷信息的测试方法及装置制造方法及图纸

本说明书实施例提供了一种提取铁电场效应管栅介质层缺陷信息的测试方法及装置，其中，方法包括：进行脉冲测试前铁电场效应管的预极化方向的设置，并设置脉冲测试参数；进行脉冲测试，并得到PV值，在施加脉冲下降沿结束后测量得到其原漏电流，基于所述原漏电流计算得到相应的偏移测试电压ΔV<subgt;th</subgt;，并得到脉冲测试中不同栅极测试电压V<subgt;gate</subgt;下测试数据T<subgt;ch</subgt;间隔时间t与ΔVth的关系；根据PV值得到铁电层内部电场，基于铁电层内部电场，基于所述铁电层内部电场，根据V<subgt;gate</subgt;、ΔV<subgt;th</subgt;、以及t计算得到相应缺陷空间位置、缺陷密度以及缺陷能级位置。

【技术实现步骤摘要】

本文件涉及电子，尤其涉及一种提取铁电场效应管栅介质层缺陷信息的测试方法及装置。

技术介绍

1、在当前大数据时代，用户对存储器的需求不断提高，要求存储容量更大、速度更快、功耗更低的非易失存储器的出现。近年来新兴的fram、pram、rram、mram等存储器都是既属于非易失性存储器，又有随机存储器的高性能特性，其中铁电场效应管(fefet)因其具有低能耗，易微缩，良好的cmos兼容性，数据保存时间长，快速写入速度和优秀的可扩展性等优势受到了广泛关注。

2、铁电场效应管(fefet)的工作原理(以n型fefet(p型衬底为例),对器件施加一个pgm操作(正脉冲)后，铁电层的极化方向向下，表现为低阈值状态vth，low；对器件施加ers操作(负脉冲)后，极化方向向上，表现为高阈值状态vth，high。在读取数据时同一栅压，两种不同态下漏电流不同，从而判断存储状态，但是fefet较差的可靠性制约其商业应用。目前的缺陷测试方法多针对mosfet，无法准确测试fefet的缺陷信息，不利于系统的研究fefet可靠性。

3、现有的电荷注入和扫描进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种提取铁电场效应管栅介质层缺陷信息的测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行脉冲测试前铁电场效应管的预极化方向的设置具体包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进行脉冲测试，并得到PV值具体包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置脉冲测试参数具体包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据PV值得到铁电层内部电场，基于铁电层内部电场，基于所述铁电层内部电场，根据Vgate、ΔVth、以及t计算得到相应缺陷空间位置、缺陷密度以及缺陷能级位置具体包括：

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【技术特征摘要】

1.一种提取铁电场效应管栅介质层缺陷信息的测试方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行脉冲测试前铁电场效应管的预极化方向的设置具体包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进行脉冲测试，并得到pv值具体包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，设置脉冲测试参数具体包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据pv值得到铁电层内部电场，基于铁电层内部电场，基于所述铁电层内部电场，根据vgate、δvth、以及t计算得到相应缺陷空间位置、缺陷密度以及缺陷能级位置具体包括：

6.一种提取铁电场效应管栅介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗庆，袁鸿烨，龚天成，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：