【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种存储系统及其操作方法。
技术介绍
1、相变存储器(phase-change memory，pcm)器件中非晶相的稳定性可能受到温度激活结晶和由于结构弛豫引起的电阻漂移的影响。因此，可能会出现阈值电压漂移，从而影响pcm器件的寿命和可靠性。
技术实现思路
1、本公开实施例提出一种存储系统及其操作方法。
2、第一方面，本公开实施例提供一种存储系统，包括：存储器件，所述存储器件包括多个存储单元；以及存储器控制器，所述存储器控制器耦合到所述存储器件并且被配置为：以预设尺寸为单位进行磨损值的统计；确定所述存储器件中具有所述预设尺寸的存储单元子集的磨损值是否满足预设磨损条件；响应于所述磨损值满足所述预设磨损条件，调节对所述存储器件进行读取操作的读取电压。
3、在一种可选的实施方式中，所述预设磨损条件为所述存储器件中具有所述预设尺寸的存储单元子集的磨损值超过预设磨损阈值。
4、在一种可选的实施方式中，所述存储器控制器被配置为：响应于...
【技术保护点】
1.一种存储系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：
4.根据权利要求1至3任一所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：
5.根据权利要求4所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：
6.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：
7.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，
8.一种存储系统，其特征在于，包括：
9...
【技术特征摘要】
1.一种存储系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储系统，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：
4.根据权利要求1至3任一所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：
5.根据权利要求4所述的存储系统，其特征在于，所述存储器控制器被配置为：
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：周光乐，杨海波，刘峻，
申请(专利权)人：新存科技武汉有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。