【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料、发光材料
，具体涉及一种B和N共掺杂ZnO薄膜 的制备方法。
技术介绍
ZnO具有较高的激子束缚能(60meV)，比室温热离化能(26meV)大很多，使得它在 光电子器件领域具有非常巨大的潜能，如短波发光二极管、太阳能电池和其它光电器件。 理论上说，具有大束缚能的激子更容易在室温下实现高效率的紫外受激辐射，因此，ZnO是 适合制作短波光学器件和高频电子器件等新型器件的材料之一。ZnO掺杂不同元素能够产 生比较好的发光效果，但是ZnO化合物制备成发光器件时，其最大的难点是p型薄膜制备， 利用有效地方法生长P型薄膜，改善P型薄膜光电特性，将促进ZnO发光器件的发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足之处，提供一种B和N共掺杂ZnO薄 膜的制备方法。通过该方法制备的ZnO薄膜具有p型化学稳定性好，杂质掺杂浓度高。 本专利技术采用的技术方案是，包括选用 ZnO或Si或GaAs或蓝宝石衬底材料，将其表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积系统 的反应室中，生长室抽真空到10—乍a，衬底温度到40(TC，加热反应室400...
【技术保护点】
一种Ｂ和Ｎ共掺杂ＺｎＯ薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤： （１）选用ＺｎＯ或Ｓｉ或ＧａＡｓ或蓝宝石衬底材料，将其表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积系统的反应室中，生长室抽真空到１０↑［－４］Ｐａ，衬底温度到４００℃， （２）加热反应室使其温度为４００～１０００℃，生长压强为４０～６０Ｔｏｒｒ，在衬底表面沉积ＺｎＯ缓冲层，然后在ＺｎＯ缓冲层上沉积Ｂ、Ｎ、Ｚｎ、Ｏ材料，形成Ｚｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｂ↓［ｘ］Ｎ↓［ｙ］Ｏ层，０．０３≤ｘ≤０．１３，０．０３≤ｙ≤０．１３，制备成Ｂ和Ｎ共掺杂ＺｎＯ薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙慧卿，邓贝，王雨田，郭志友，陈鹏，孔利平，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]
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