ＺｎＯ基发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种ＺｎＯ基发光二极管及其制备方法。一种ＺｎＯ基发光二极管，包括在衬底（１）上依次沉积的ＺｎＯ同质缓冲层（２）、ｎ型ＺｎＯ接触层（３）、ｎ型Ｚｎ１－ｘＣｄｘＯ层（４）、由Ｚｎ１－ｙＣｄｙＯ层和ＺｎＯ层交替形成的多层Ｚｎ１－ｙＣｄｙＯ／ＺｎＯ多量子阱结构层、Ａｌ和Ｎ共掺杂的Ｐ型Ｚｎ１－ｚＣｄｚＯ层（６）、Ａｌ和Ｎ共掺杂的Ｐ型ＺｎＯ层（７）、ＺｎＯ电流扩展层（８）；负电极（９）置于ｎ型Ｚｎ１－ｘＣｄｘＯ层上，正电极（１０）置于ＺｎＯ电流扩展层（８）上。本发明专利技术通过在ＺｎＯ材料中共掺杂Ａｌ和Ｎ元素，可以有效改善ＺｎＯ薄膜的ｐ型特性，制备发光效率高的ＺｎＯ发光二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料、发光材料
，具体涉及ZnO基发光二极管及其制 备方法。
技术介绍
ZnO是第三代半导体的核心基础材料，它具有低介电常数，高化学稳定性以及优异 的光电特性，是一种多功能材料，在发光器件、非线性光学器件等领域有非常重要的应用， 受到了越来越多的关注。但是本征的ZnO呈n型导电特性，难于实现p型掺杂，虽然诸多国 内外报道取得了突破性成果，但当前P型掺杂对于ZnO基发光二极管及的制备仍然是重点 和难点。利用有效地方法生长P型薄膜，改善P型薄膜光电特性，将促进ZnO发光器件的发 展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足之处，提供一种具有Al和N共掺杂P 型层的。 本专利技术采用的技术方案是ZnO基发光二极管的制备方法，包括 本专利技术的ZnO基发光二极管，在衬底上自上而下依次沉积ZnO同质缓冲层、 n型ZnO接触层，n型ZrvxCdx0层，由ZrvxCdxO(0《x《0. 5)和ZnO交替形成多层 ZrvyCdyO(0《y《0. 5)/ZnO多量子阱结构层，在有源区上生长Al和N共掺杂的P型 ZrvzCdzO(0《z《0. 5)层，Al和本文档来自技高网...

【技术保护点】
ＺｎＯ基发光二极管，其特征在于包括在衬底（１）上依次沉积的ＺｎＯ同质缓冲层（２）、ｎ型ＺｎＯ接触层（３）、ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｃｄ↓［ｘ］Ｏ层（４）、由Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｃｄ↓［ｙ］Ｏ层和ＺｎＯ层交替形成的多层Ｚｎ↓［１－ｙ］Ｃｄ↓［ｙ］Ｏ／ＺｎＯ多量子阱结构层、Ａｌ和Ｎ共掺杂的Ｐ型Ｚｎ↓［１－ｚ］Ｃｄ↓［ｚ］Ｏ层（６）、Ａｌ和Ｎ共掺杂的Ｐ型ＺｎＯ层（７）、ＺｎＯ电流扩展层（８）；负电极（９）置于ｎ型Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｃｄ↓［ｘ］Ｏ层上，正电极（１０）置于ＺｎＯ电流扩展层（８）上；其中，０＜ｘ≤０．５，０＜ｙ≤０．５，０＜ｚ≤０．５。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙慧卿，郭志友，王雨田，邓贝，陈鹏，孔利平，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：81[中国|广州]