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本发明公开了一种ＺｎＯ基发光二极管及其制备方法。一种ＺｎＯ基发光二极管，包括在衬底（１）上依次沉积的ＺｎＯ同质缓冲层（２）、ｎ型ＺｎＯ接触层（３）、ｎ型Ｚｎ１－ｘＣｄｘＯ层（４）、由Ｚｎ１－ｙＣｄｙＯ层和ＺｎＯ层交替形成的多层Ｚｎ１－ｙＣｄ...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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