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本发明公开了一种Ｂ和Ｎ共掺杂ＺｎＯ薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（１）选用ＺｎＯ或Ｓｉ或ＧａＡｓ或蓝宝石衬底材料，将其表面清洗后，放入金属有机物化学气相沉积系统的反应室中，生长室抽真空到１０－４Ｐａ，衬底温度到４００℃，（２）加热...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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