薄膜晶体管阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其中薄膜晶体管阵列基板包括栅线、数据线和像素电极，在数据线的上方形成有与数据线接触的透明导电层，透明导电层与像素电极不相连。制造方法包括：在玻璃基板上依次形成栅线层、栅绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线层；沉积钝化层；通过光刻工艺和刻蚀工艺形成过孔，同时刻蚀位于数据线上方的钝化层；沉积透明导电层；通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留数据线上方的透明导电层，数据线上方的透明导电层与像素电极不相连。本发明专利技术避免了线性不良问题，且不需要维修从而避免造成像素不良，提高了ＴＦＴ－ＬＣＤ的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其涉及一种在数 据线上沉积透明导电层的薄膜体管阵列基板及其制造方法，属于电子设备制 造领域。
技术介绍
如图4所示，为现有技术薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，其中数据 线41为薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的像素电极42提供数据信号，当 数据线41出现断路情况时，会导致TFT-LCD面板上出现一条亮线或暗线，造 成严重的线性不良现象。现有技术中通常采用化学气相沉积(chemical vapor deposition,以下简称CVD)方法来修复数据线41断路的问题，但是这种 方法会造成像素不良，对良品率和维修成功率产生较大影响，使得TFT-LCD 的显示性能下降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于^_供一种，当数据 线出现断^各情况时，不用维修即可修复，避免线性不良问题，提高TFT-LCD 的良品率。本专利技术提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线、数据线和像素电极， 在所述数据线的上方形成有与所述数据线接触的透明导电层，所述透明导电 层与所述像素电极不相连。本专利技术提供了 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在玻璃基板上依次形成栅线层、栅绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线层，还包括步骤1、在形成栅线层、栅绝缘层、有源层、源漏电极和数据线层的玻璃基板上，沉积钝化层；步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成过孔，同时刻蚀位于数据线上方的钝化层；步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，沉积透明导电层；步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留数据线上方的透明导电层，所述数据线上方的透明导电层与所述像素电极不相连。本专利技术提供的，在数据线的上方形成 有与数据线接触的透明导电层，当数据线出现断路情况时，能通过与数据线接触的透明导电层传送数据信号，避免了线性不良问题，由于不用维修即可 修复，因而不会造成像素不良，提高了 TFT-LCD的良品率。附图说明图1为本专利技术薄膜晶体管阵列基板具体实施例的结构示意图； 图2为图1中A-A向的剖面图3为本专利技术薄膜晶体管阵列基板的制造方法具体实施例的流程图； 图4为现有技术薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。具体实施例方式下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。 如图1所示，为本专利技术薄膜晶体管阵列基板具体实施例的结构示意图， 包括栅线、数据线11和像素电极12,其中在数据线11的上方形成有与数据 线11接触的透明导电层13，透明导电层13和像素电极12不相连。透明导电层13的材料可以与像素电极12相同，且与像素电极12形同层上。下面通过薄膜晶体管阵列基板的制造过程说明本专利技术的技术方案。如图2所示，为图1中A-A向的剖面图，包括玻璃基板21、栅线层22、 栅绝缘层23、有源层(包括非晶硅层24和掺杂非晶硅层25 )、源漏电极28、 数据线ll、钝化层26、过孔27、像素电极12和透明导电层13,其中源漏电 极28的源电极与数据线11连接。该薄膜晶体管阵列基板的制造过程为在 玻璃基板21上依次形成栅线层22、栅绝缘层23、非晶硅层24、掺杂非晶硅 层25、源漏电极28和数据线11;沉积钝化层26,通过光刻工艺和刻蚀工艺 形成过孔27,与此同时，刻蚀位于数据线11上方的钝化层，暴露出数据线 11;沉积透明导电层，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极12，同时保留 数据线11上方的透明导电层13,且使得透明导电层13与像素电极12不相 连。本实施例在数据线11上方形成有与数据线11接触的透明导电层13，相 当于在数据线11上添加了一层导电层，当数据线11出现断路情况时，能通 过与数据线11接触的透明导电层13传送数据信号，避免了线性不良问题， 由于不用维修即可修复，因而不会造成像素不良，提高了 TFT-LCD的良品率。如图3所示，为本专利技术薄膜晶体管阵列基板的制造方法具体实施例的流 程图，具体包括如下步骤步骤101、在玻璃基板上依次形成栅线层、栅绝缘层、有源层、及源漏 电极和数据线层；步骤102、在形成栅线层、栅绝缘层、有源层、源漏电极和数据线层的 玻璃基板上，沉积钝化层；步骤103、在完成步骤102的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形 成过孔，同时刻蚀位于数据线上方的钝化层，暴露出数据线；步骤104、在完成步骤103的玻璃基板上，沉积透明导电层；步骤105、在完成步骤104的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留数据线上方的透明导电层，数据线上方的透明导电层 与像素电极不相连。本实施例在数据线上方保留透明导电层，相当于在数据线上添加了一层 导电层，当数据线出现断路情况时，能通过与数据线接触的透明导电层传送 数据信号，避免了线性不良问题，由于不用维修即可修复，因而不会造成像素不良，提高了 TFT-LCD的良品率。最后应说明的是以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案，而非对其 限制；尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术 人员应当理解其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或 者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本专利技术各实施例技术方案的精神和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线、数据线和像素电极，其特征在于，在所述数据线的上方形成有与所述数据线接触的透明导电层，所述透明导电层与所述像素电极不相连。

【技术特征摘要】
1、一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线、数据线和像素电极，其特征在于，在所述数据线的上方形成有与所述数据线接触的透明导电层，所述透明导电层与所述像素电极不相连。2、 才艮据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述透 明导电层的材料与所述像素电极相同，并且与所述像素电极形成在同层上。3、 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在玻璃基板上依次形成 栅线层、4册绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：申伟，权基瑛，刘华，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]