具有抑制特性偏移的结构的薄膜晶体管面板及其制造方法技术

一种薄膜晶体管面板包括：基板（１）；薄膜晶体管（３），形成在基板（１）上，具有栅电极（６）、栅绝缘膜（７）、半导体薄膜（８）、在半导体薄膜（８）上形成的一对欧姆接触层（１０、１１）、以及在各欧姆接触层（１０、１１）上形成的源电极（１２）和漏电极（１３），半导体薄膜（８）在源电极（１２）和漏电极（１３）之间具有沟道区域；像素电极（２），与薄膜晶体管（３）的源电极（１２）连接；以及第一和第二导电性被覆膜（１４、１５），设置在源电极（１２）侧和漏电极（１３）侧的上部，由与像素电极（２）相同的材料形成；第一导电性被覆膜（１４）的宽度比源电极（１２）的宽度宽，第二导电性被覆膜（１５）的宽度比漏电极（１３）的宽度宽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
有源矩阵型液晶显示装置适用具有多个像素电极和与各像素电极连接的多个开关用薄膜晶体管的薄膜晶体管面板。具有滤色片和对置电极的对置电极面板设置成在与所述薄膜晶体管面板之间夹着液晶元件，通过在所述各像素电极和所述对置电极之间施加对应于显示像素的显示电压，液晶元件的透射率变化，能够目视显示。在日本特许公开2005-93460号公报中，记载了在上述薄膜晶体管面板上形成薄膜晶体管的结构。在这篇现有技术文献中记载的薄膜晶体管是如下的晶体管在基板的上表面设有栅电极，在含有栅电极的基板的上表面设有栅绝缘膜，在栅电极上的栅绝缘膜的上表面设有由本征非晶硅构成的半导体薄膜，在半导体薄膜上表面的预定部位设有由氮化硅构成的沟道保护膜，在沟道保护膜的上表面两侧及其两侧的半导体薄膜上表面设有由n型非晶硅构成的欧姆接触层，并在各欧姆接触层上表面形成设有源电极和漏电极，在其上设有由氮化硅构成的过覆膜。在上述现有的薄膜晶体管中，源电极和漏电极的宽度比直接设置在半导体薄膜上的区域的各欧姆接触层的宽度大。并且，由于将直接设置在半导体薄膜上的区域的各欧姆接触层由源电极和漏电极完全覆盖，因此即本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管面板，包括：基板（１）；薄膜晶体管（３），形成在所述基板（１）上，具有栅电极（６）、栅绝缘膜（７）、半导体薄膜（８）、在所述半导体薄膜（８）上形成的一对欧姆接触层（１０、１１）、以及在所述各欧姆接触层（１０、１ １）上形成的源电极（１２）和漏电极（１３），所述半导体薄膜（８）在所述源电极（１２）和所述漏电极（１３）之间具有沟道区域；像素电极（２），与所述薄膜晶体管（３）的所述源电极（１２）连接；以及第一和第二导电性被覆膜（１４、１５ ），设置在所述源电极（１２）侧和所述漏电极（１３）侧的上部，由与所述像素电极（２）相同的...

【技术特征摘要】
JP 2005-10-20 305140/20051.一种薄膜晶体管面板，包括基板(1)；薄膜晶体管(3)，形成在所述基板(1)上，具有栅电极(6)、栅绝缘膜(7)、半导体薄膜(8)、在所述半导体薄膜(8)上形成的一对欧姆接触层(10、11)、以及在所述各欧姆接触层(10、11)上形成的源电极(12)和漏电极(13)，所述半导体薄膜(8)在所述源电极(12)和所述漏电极(13)之间具有沟道区域；像素电极(2)，与所述薄膜晶体管(3)的所述源电极(12)连接；以及第一和第二导电性被覆膜(14、15)，设置在所述源电极(12)侧和所述漏电极(13)侧的上部，由与所述像素电极(2)相同的材料形成；所述第一导电性被覆膜(14)的宽度比所述源电极(12)的宽度宽，所述第二导电性被覆膜(15)的宽度比所述漏电极(13)的宽度宽。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第一导电性被覆膜(14)完全覆盖所述沟道区域的外侧区域的所述源电极(12)。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第二导电性被覆膜(15)完全覆盖所述沟道区域的外侧区域的所述漏电极(13)。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第一导电性被覆膜(14)设置成与所述源电极(12)的上表面接触，并与所述像素电极(2)连续地一体形成。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第一导电性被覆膜(14)设置成与所述源电极(12)上表面及其宽度方向两侧的侧面、所述欧姆接触层(10)的宽度方向两侧的侧面接触。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第二导电性被覆膜(15)设置成与所述漏电极(13)的上表面接触，并且，从所述漏电极(13)延伸出来，以便跨过与所述漏电极(13)连接的漏极布线(5)的一部分。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述导电性被覆膜(15)设置成与所述漏电极(13)的上表面以及其宽度方向两侧的侧面、所述欧姆接触层(10)的宽度方向两侧的侧面接触。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，具有覆盖所述薄膜晶体管(3)的过覆膜(18)，所述像素电极(2)和所述第一和第二导电性被覆膜(14、15)设置在所述过覆膜(18)上。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第一导电性被覆膜(14)设置成在所述源电极(12)上的所述过覆膜(18)的上表面与所述像素电极(2)连续，通过设置在所述过覆膜(18)中的接触孔(19)与所述源电极(12)连接。10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第二导电性被覆膜(15)设置在所述漏电极(13)上的所述过覆膜(18)的上表面。11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第二导电性被覆膜(15)通过设置在所述过覆膜(18)中的接触孔(20)与所述漏电极连接。12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述源电极(12)的与所述漏电极(13)相对的侧的端面没有被所述第一导电性被覆膜(14)覆盖。13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述漏电极(13)的与所述源电极(12)相对的侧的端面没有被所述第二导电性被覆膜(15)覆盖。14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述源电极(12)及其下的所述欧姆接触层(10)的与所述漏电极(13)相对的侧的端面由所述第一导电性被覆膜(14)覆盖。15.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述漏电极(13)及其下方的所述欧姆接触层(11)的与所述源电极(12)相对的侧的端面由所述第二导电性被覆膜(15)覆盖。16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管面板，其特征在于，所述第一和第二导电性被覆膜(14、15)分别与所述源电极(12)及漏电极(13)电绝缘。17.一种薄膜晶体管面板，其特征在于，具备薄膜晶体管(3)，包括具有源区(16)、漏区(17)以及沟道区域的半导体薄膜(8)、与所述源区(16)连接的源电极(12)、与所述漏区(17)连接的漏电极(13)、以及与所述沟道区域对应形成的栅电极(6)；第一透明导电膜(14)，与所述源电极(12)连接，至少覆盖所述沟道区域外部的整个源电极(12)；第二透明导电膜(15)，与所述漏电极(13)连接，至少覆盖所述沟道区域外部的整个漏电极(13)；所述第一透明导电膜(14)和所述第二透明导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井裕满，
申请(专利权)人：卡西欧计算机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]