薄膜晶体管阵列面板及其制造方法技术

一种用于显示器的ＴＦＴ阵列面板，具有栅极绝缘层，该栅极绝缘层具有与钝化层基本相同的介电常数，并可以厚于该钝化层，同时，存储电容器包括彼此交叠的像素电极和存储电极以及夹在其间的钝化层，从而即使存储导体具有与以前相同的面积，存储电容器也具有比公知存储电容器更高的电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器的平板显示器包括若干对场致电极和位于其间的光电有源层。LCD包括液晶层，作为光电有源层，而OLED包括有机发光层，作为光电有源层。 一对场致电极中的一个电极，即像素电极，通常连接至用于将电信号传输至像素电极的开关元件，并且光电有源层将电信号转换为光信号，以显示图像。 具有三个端子的薄膜晶体管(TFT)用于平板显示器中的开关元件，并且在该平板显示器上还设置有多条信号线，诸如栅极线和数据线。栅极线传输用于控制TFT的信号，该TFT将来自数据线的信号施加到像素电极上。 在LCD中，通过接通的TFT而被供以数据电压的像素电极与共用电极相配合而产生电场，以对液晶电容器进行充电。由于当栅极接通电压改变为栅极断开电压时像素电压可能会下降一些，所以LCD包括被称为“存储电容器”的附加电容器，用于在TFT断开之后增强液晶电容器的电压存储能力。存储电容器有助于保持统一的像素电压。 因此，LCD受益于其具有尽可能大的电容的存储电容器。
技术实现思路
根据本专利技术实施例的薄膜晶体管阵列面板包括基板；包括栅电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；包括栅电极的栅极线和包括存储电极的存储电极线，所述栅极线和所述存储电极线形成在所述基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极线、所述存储电极线、和所述基板上；半导体层，形成在所述栅 极绝缘层上；数据线和漏电极，形成在所述半导体层和所述栅极绝缘层上；存储导体，其形成在所述栅极绝缘层上，由与所述数据线相同的层构成，且与所述数据线分隔开，并且所述存储导体利用连接件电连接至所述存储电极；钝化层，其形成在 所述数据线、所述漏电极、和所述存储导体上；以及透明电极，其形成在...

【技术特征摘要】
KR 2005-12-29 10-2005-0133513;KR 2006-10-17 10-200的精神和范围之内的各种更改和等同替换。权利要求1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括基板；包括栅电极的栅极线和包括存储电极的存储电极线，所述栅极线和所述存储电极线形成在所述基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极线、所述存储电极线、和所述基板上；半导体层，形成在所述栅极绝缘层上；数据线和漏电极，形成在所述半导体层和所述栅极绝缘层上；存储导体，其形成在所述栅极绝缘层上，由与所述数据线相同的层构成，且与所述数据线分隔开，并且所述存储导体利用连接件电连接至所述存储电极；钝化层，其形成在所述数据线、所述漏电极、和所述存储导体上；以及透明电极，其形成在所述钝化层上，并连接至所述漏电极。2.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，所述栅极绝缘层比所述钝化层厚，并且彼此交叠的所述透明电极和所述存储导体以及夹在其间的所述钝化层一起构成存储电容器。3.根据权利要求2所述的TFT阵列面板，其中，所述存储导体通过所述存储电极被供以存储电压。4.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，其中，所述钝化层具有露出所述存储导体的一部分的孔。5.根据权利要求1所述的TFT阵列面板，进一步包括有机绝缘体，其形成在所述透明电极的一部分上；以及反射电极，其形成在所述有机绝缘体上。6.根据权利要求5所述的TFT阵列面板，其中，所述反射电极在所述有机绝缘体边缘处物理及电连接至所述透明电极。7.根据权利要求6所述的TFT阵列面板，其中，所述存储导体设置在包含所述反射电极的区域中。8.一种TFT阵列面板，包括基板；栅极线，其包括栅电极并形成在所述基板上；栅极绝缘层，其形成在所述栅极线和所述基板上；半导体层，形成在所述栅极绝缘层上；数据线、漏电极、和包括存储电极的存储电极线，形成在所述半导体层和所述栅极绝缘层上；钝化层，其形成在所述数据线、所述漏电极、和所述存储电极线上；以及透明电极，其形成在所述钝化层上，并连接至所述漏电极。9.根据权利要求8所述的TFT阵列面板，其中，所述存储电极线基本平行于所述数据线而延伸。10.根据权利要求8所述的TFT阵列面板，其中，所述栅极绝缘层比所述钝化层厚，并且所述透明电极和包括所述存储电极的所述存储电极线彼此交叠，以与夹在其间的所述钝化层一起构成存储电容器。11.根据权利要求10所述的TFT阵列面板，其中，所述存储电极线被供以存储电压。12.根据权利要求8所述的TFT阵列面板，进一步包括有机绝缘体，其形成在所述透明电极的一部分上；以及反射电极，其形成在所述有机绝缘体上。13.根据权利要求12所述的TFT阵列面板，其中，所述反射电极在所述有机绝缘体的边缘处物理及电连接至所述透明电极。14.根据权利要求12所述的TFT阵列面板，其中，所述存储导体设置在包含所述反射电极的区域中。15.一种制造TFT阵列面板的方法，所述方法包括在基板上形成包括栅电极的栅极线和包括存储电极的存储电极线；在所述栅极线、所述存储电极线、和所述基板上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述栅极绝缘层和所述半导体层上形成数据线、漏电极、和存储导体；在所述数据线、所述漏电极、和所述存储导体上形成钝化层；以及在所述钝化层上形成连接至所述漏电极的像素电极。16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括在所述钝化层中形成露出所述存储导体的孔；在所述栅极绝缘层中形成露出所述存储电极的接触孔；以及形成连接件，其将所述存储导体通过所述接触孔电连接至所述存储电极。17.根据权利要求16所述的方法，其中，同时进行形成所述像素电极的步骤和形成所述连接件的步骤。18.一种TFT阵列面板的制造方法，所述方法包括在基板上形成包括栅电极的栅极线；在所述栅极线和所述基板上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述栅极绝缘层和所述半导体层上形成数据线、漏电极、和包括存储电极的存储电极线；在所述数据线、所述漏电极、和所述存储电极线上形成钝化层；以及在所述钝化层上形成连接至所述漏电极的像素电极。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述栅极绝缘层比所述钝化层厚，并且所述像素电极和包括所述存储电极的所述存储电极线彼此交叠，以与夹在其间的所述钝化层一起构成存储电容器。20.根据权利要求18所述的方法，进一步包括在所述像素电极的一部分上形成有机绝缘体；以及在所述有机绝缘体上形成反射电极。21.一种TFT阵列面板，包括基板；包括栅电极的栅极线和包括存储电极的存储电极线，所述栅极线和所述存储电极线形成在所述基板上；栅极绝缘层，形成在所述栅极线、所述存储电极、和所述基板上，并具有露出所述存储电极的接触孔；半导体层，形成在所述栅极绝缘层上；数据线和漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁英喆，朴大真，林智淑，朴涌基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]