薄膜晶体管基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种ＴＦＴ基板及其制造方法。该方法包括在绝缘基板上形成栅极线和数据线。数据线与栅极线相交且与栅极线绝缘。栅极线、数据线、或栅极线和数据线二者的形成包括利用无电镀方法在基体图案上形成低电阻导电图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器(LCD)装置及其制造方法，更具体而言，涉及一种LCD装置的薄膜晶体管(TFT)基板及其制造方法。
技术介绍
液晶显示(LCD)装置是最广泛使用的平板显示装置之一，其包括具有多个电极的两个基板和夹置在两个基板之间的液晶层。LCD装置通过将电压施加到多个电极来调整通过其透射的光的量，从而液晶层的液晶分子可以被重排。通常使用的LCD装置包括薄膜晶体管(TFT)基板，其具有多个排列为矩阵的像素电极和具有单个公共电极的显示基板。为了满足对宽屏的日益增加的需求，数据线或栅极线可以由低电阻导电材料形成，从而施加到TFT基板上的像素电极或开关元件的数据信号或栅极信号可以被适当地传输到连接到数据线和栅极线的所有像素电极或开关元件，而无论信号必须沿所述线传输的距离如何。然而，这样的低电阻导电材料可能恶化数据线或栅极线对于基板的粘接性能，或由于与其他层的相互作用而可能导致缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供了一种可以具有出色信号传输能力的薄膜晶体管(TFT)基板。本专利技术还提供了一种具有出色信号传输能力的薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法。本专利技术的附加的特征将在随后的说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的栅极线和数据线，所述数据线与所述栅极线相交且与所述栅极线绝缘，其中所述栅极线、数据线、或所述栅极线和所述数据线二者包括形成于所述绝缘基板上的基体图案，形成于所 述基体图案上的低电阻导电图案、和形成于所述低电阻导电图案上的钝化图案。

【技术特征摘要】
KR 2006-4-6 31507/061.一种薄膜晶体管基板，包括绝缘基板；形成于所述绝缘基板上的栅极线和数据线，所述数据线与所述栅极线相交且与所述栅极线绝缘，其中所述栅极线、数据线、或所述栅极线和所述数据线二者包括形成于所述绝缘基板上的基体图案，形成于所述基体图案上的低电阻导电图案、和形成于所述低电阻导电图案上的钝化图案。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述基体图案包括钼、镍、铜、铝、钛、钽、钨和铬中的至少一种。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述基体图案包括钼或氮化钼。4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述基体图案具有200到1000的厚度。5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述低电阻导电图案包括铜、铝、金、银或它们合金中的至少一种。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述低电阻导电图案具有600到3000的厚度。7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述低电阻导电图案覆盖所述基体图案。8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述低电阻导电图案覆盖所述基体图案的上表面和侧表面。9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述钝化图案包括镍、金、锡、锌、钛或钽中的至少一种。10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述钝化图案具有100到1000的厚度。11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括防止所述低电阻导电图案渗透所述绝缘基板的扩散防止层。12.一种薄膜晶体管基板的制造方法，包括在绝缘基板上形成栅极线和数据线，所述数据线与所述栅极线相交且与所述栅极线绝缘，其中形成所述栅极线、数据线、或所述栅极线和数据线二者包括利用无电镀方法在基体图案上形成低电阻导电图案。13.如权利要求12所述的方法，其中所述基体图案包括钼、镍、铜、铝、钛、钽、钨和铬中的至少一种。14.如权利要求13所述的方法，其中所述基体图案包括钼或氮化钼。15....

【专利技术属性】
技术研发人员：宁洪龙，郑敞午，李制勋，金度贤，赵成宪，宋基镕，卢昌镐，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]